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第7章 模拟集成电路§1 模拟集成电路中的直流偏置技术§2 差分放大器§3 双极型晶体管差分放大电路的传输特性§4 集成运算放大器§5 集成运放的性能指标及影响§6 模拟乘法器同相输入端反相输入端输出端一、直接耦合带来的问题及解决的办法实例－运算放大器是一个高增益的直接耦合放大器；输出功放级差分输入级中间电压放大级u+uo偏置电路及其辅助电路u－集成电路两大特点：直接耦合 前后级Q点相互影响 零点漂移偏置电路——工作电流很小——采用电流源+EC=12VRb1300kRc23kRc13kRb2300kRe2T2T1b=50b=50uoui一、直接耦合带来的问题及解决的办法1、前后级Q点相互影响怎样相互影响？设两个管子的特性参数相同，UB1=UB2=0.7V UC1=UC2=EC-ICRc =EC-RcbIB = EC-Rcb(EC-UB)/Rb =6.3V直接耦合后，由于UB2不会有很大的增加，迫使T1处于接近饱和的状态。直接耦合后，Rc1作为T2的偏流电阻，且由于Rc1＜Rb2使IB2大大增加，使T2处于深度饱和状态。怎样解决？（1）利用Re2提高T2的UE，使T1，T2退出饱和状态。 缺点：①由于Re的作用使放大倍数降低。6.3V6.3V②∵UC＞UB，∴当级数增多时，这一方面要求电源提供更高的电压，另一方面输出端可能偏离所要求的直流电位。5.6V+ECRc1Rb1uouiRb2Rc2Re1-E+ECRc2Rc1Rb1+EC=12VRb1300kRc23kRc13kRb2300kuouiRb2T2T1b=50b=50uoui一、直接耦合带来的问题及解决的办法1、前后级Q点相互影响怎样解决？（3）用硅稳压管耦合移动电位。 （2）利用NPN型和PNP型管交替使用。 ui =0Au=20uo1=10mVAu=20uo2=210mVAu=20uo=4.21V +EC=12VRb1300kRc23kRc13kRb2300kT2T1输出电压漂移值总电压放大倍数b=50b=50uoui一、直接耦合带来的问题及解决的办法2、零点漂移 （1）什么是零点漂移在直接耦合放大电路中，输出电压偏离其初始值的现象称为零点漂移。原因是三极管的工作点随时间而逐渐偏离原有的静态值。 放大器级数越多，放大倍数越大，输出端漂移现象越严重。第一级的零漂影响最大。 （2）怎样衡量零点漂移的大小 漂移电压折算到输入端等效漂移电压＝－输入失调电压＝=0+EC=12VRb1300kRc23kRc13kRb2300kT2T1b=50b=50uoui一、直接耦合带来的问题及解决的办法2、零点漂移 （3）产生零漂的原因温度的变化——最主要。电源电压的波动。电路元件参数的变化。（4）减少零漂的措施选用高质量的硅管。用温度补偿电路。采用调制的方式。采用差分放大电路。=0iD(C)(mA )+ECI0R1QI0R2UDS(CE)(V)△UDS 二、模拟集成电路中的直流偏置技术 作用：向各级放大器提供合适的、很小的偏置电流，决定各级的Q点。 要求：用不太大的电阻来实现小电流的电路。 电流源的特点：直流电阻小，交流电阻大。1、最简单的电流源 晶体管的d(c) 极和s(e)极之间，具有极高的交流阻抗而直流阻抗不大。 选择合适的工作点，保证晶体管工作在恒流区（放大区）。 RDS=UDS/ID 很小：102Ω左右 rDS=ΔUDS/ΔID 很大：106Ω左右 +EDDI0R1R2△ID T0T3T4+EDDRIREFgT1T2+EDD二、模拟集成电路中的直流偏置技术2、MOSFET镜像电流源：设：T1、T2具有良好的对称性， ∵UGS1=UGS2∴ Io=ID2=IREF=(EDD-UGS)/R特点： IREF选定后，Io随之确定——镜像恒流源；电路结构简单，参数对称。要得到较小的电流，就需要较大的R，故此电路适用于工作电流Io较大的场合（毫安级）。R常用MOS管代替；多路镜像恒流源电路。Io=ID2=IREF=(EDD-UGS)/R提供给其他放大级的偏置电流基准电流Io=IC2=+ECIC3IRRIo=IC22IBIC1T1T2T3IB1IB2二、模拟集成电路中的直流偏置技术3、BJT镜像电流源电路 设：T1、T2具有良好的对称性， IB1=IB2=IB∵UBE1=UBE2∴IC2=IC1=IR-2IB=IR-2IC1/b当b 1时：特点： IR选定后，Io随之确定——镜像恒流源；多路镜像恒流源电路b值不大时，使镜像特性变差。由电路对称性可得+ECIRRIo=IC22IBT3IC1IB3IE3T1T2IB1IB2Re3二、模拟集成电路中的直流偏置技术3、BJT镜像电流源电路 带缓冲级的镜像电流源优点：Io与IR 的误差减小了，镜像精度提高了b倍，b值越大，精度越高。 为避免IE