实验五、六_光敏三极管.docVIP

五、光敏三极管的光电特性及伏安特性一、实验原理：光注入 用波长比较短的光 照射到半导体 光照产生非平衡载流子产生的非子一般都用Dn，Dp来表示。 达到动态平衡后： n=n0+Dn ，p=p0+Dp； n0，p0为热平衡时电子浓度和空穴浓度，Dn，Dp为非子浓度。光敏三极管是一种光生伏特器件，用高阻P型硅作为基片，然后在基片表面进行参杂形成PN结。N区扩散得很浅为1μm左右，二空间电荷区，（即耗层区）较宽，所以保证了大部分光子入射到耗层区内。光子入射到耗层内被吸收而激发电子-空穴对，电子-空穴对在外加反向偏压VCB的作用下，空穴流向正极，形成了三极管的反向电流即光电流。光电流通过外加负载电阻RL后产生电压信号输出。光敏三极管原理与结构 ：下图给出了 NPN 型光敏三极管基本线路。基极开路，基极-集电极处于反偏状态。当光照射到 PN 结附近时，由于光生伏特效应，产生光电流。该电流相当于普通三极管的基极电流，因此将被放大（ 1+ β ）倍，所以光敏三极管具有比光敏二极管更高的灵敏度。实验目的：1、了解光敏三极管光电特性，当光电管的工作偏压一定时，光电管输出光电流与入射光的照度（或通量）的关系。2、当入射光的照度（或通量）一定时，光电管输出的光电流与偏压的关系（伏安特性）。实验步骤：见讲义下图为光敏晶体管的光照特性曲线。它给出了光敏晶体管的 输出电流 Ic 和照度 Ee