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第五章2 静态cmos逻辑电路
从反相器到逻辑门的构成 二、静态CMOS逻辑电路 上拉开关网络 下拉开关网络 CMOS与非门 直流电压传输特性－两个输入信号同步 两输入同步情况下逻辑阈值电平 若宽长比相同，KNeff=KN/2，KPeff=2KP 通常VTN0.5VDD,因此Vit0.5VDD 直流电压传输特性——两个输入信号不同步 二输入与非门的直流电压传输特性曲线 存在衬偏效应 A=VDD，B变化时， MN2的源极和衬底电位不同，受衬偏效应影响，阈值电压会发生变化。 只有当VGS2=Vin-VDS1≥VTN2时，MN2才导通。 分析n输入与非门的直流特性 输出上升时间tr：决定于PMOS管对负载电容充电时间； 输出下降时间tf：决定于NMOS管对负载电容放电时间 与非门瞬态特性的深入分析 CDBN是接到输出接点的NMOS管的漏区结电容； CDBP是单个PMOS管的漏区结电容； Cin是下一级电路的输入电容； C1是连线的寄生电容。 与非门瞬态特性的深入分析 计算下降时间时还应考虑串联支路的中间节点电容的影响。 这个放电过程等效于一个RC网络放电。 对于三输入与非门为： R1C1+（R1+R2）C2+（R1+R2+R3）CL 可见，越靠近地端的管子其导通电阻影响越大，因此，从输出端到接地端，MOS管的导电因子应逐渐增大。 与非门设计考虑 CMOS或非门 或非门的直流电压传输特性曲线 若VTN=-VTP，KN=KP，Vit=（VDD+VTN）/30.5VDD, 传输特性不对称，向左偏。 若要使得Vit=0.5VDD， Kr=KN/KP=1/4 n输入或非门直流特性 Kr=KN/KP=n-3/2 n输入或非门瞬态特性 或非门设计考虑 或非门设计范例 采用等效反相器方法 √ √ √ √ CMOS与非门和或非门的设计考虑 1、最小面积设计 2、KN=KP的设计 3、串联管子增大n倍 4、全对称设计 总结 与非门、或非门版图实例
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