电子材料导 薄膜.ppt

* 五） 金属陶瓷电阻薄膜 1.铬-一氧化硅电阻薄膜 Cr-SiO薄膜电阻，常用真空蒸法或反应溅射的方法制得。 图示出了反应溅射的Cr-SiO电阻薄膜的电阻率、电阻温度系数与Si含量的关系。 * 从图中可看出淀积速率对电导率和电阻温度系数的影响是非常大的。 * 基片温度升高有利晶粒的生长，有利基片上蒸发的粒子迁移至更稳定的位置，有利于排出剩余的气体，其结果可得到较高的电导率和小的负的电阻温度系数。 * 随着膜厚增加，方阻近似于指数式地减小。在120nm时曲线趋于平坦。 对于同样厚度，陶瓷基片上Cr-SiO膜方阻比玻璃基片上Cr-SiO膜高3到5倍。 因为陶瓷基片比玻璃基片表面更粗糙。 * 2.钛-二氧化硅薄膜 下图示出了Ti-SiO2薄膜的电阻率和电阻温度系数与成分的关系。SiO2面积为10—50%时，电阻率、电阻温度系数变化平缓；面积比小于10%或大于50%时，电阻率和电阻温度系数变化稳剧； * 随着电阻率增大，电阻温度系数从正值变到负值。 当电阻率比较低时，该膜的导电可以视为Ti金属的连续膜导电，所以电阻温度系数成正值。 * 六 铬-硅电阻薄膜 ?铬-硅（Cr-Si）电阻薄膜是片式元件和混合集成电路中常用的薄膜电阻材料。它具有电阻率高、电阻温度系数小、稳定性好的特点。 该膜常用真空蒸发和溅射方法制成。 真空蒸发时，将Cr粉（99.99%）和Si粉（99.99%）混合。粒度