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半导体雷射之抗反射镀膜技术研究
半導體雷射之抗反射鍍膜技術研究 非對稱多重量子井半導體雷射，其內部量子井結構有兩種發光材料是為非對稱量子井，如右圖所示為樣品代號A6B主要結構( )，其具有雙光域雷射光特性( 及 )。由於雷射光是因共振腔而產生Fabry-Perot效應，使得雙光域雷射光之光譜為非連續性，因此研究在共振腔之一端鏡面鍍抗反射膜，從此端面可獲得連續性寬光譜之自發性非同調光。這在發展及應用可調雷射光源是非常具有價值的。 樣品代號A6B非對稱多重量子井半導體雷射特性量測 1.右上圖為未鍍抗反射膜量測光譜結果。 2.右下圖為鍍抗反射膜量測光譜結果。 3.下圖為量測鍍膜前後之光強度-電流(L-I)特性曲線結果。 1550nm波長多重量子井半導體雷射(InGaAlAs/InP)特性量測 1.右上圖為未鍍抗反射膜量測光譜結果。 2.右下圖為鍍抗反射膜量測光譜結果。 3.下圖為量測鍍膜前後之光強度-電流(L-I)特性曲線結果。 總 結 1. 欲獲得寬光譜之雷射光源，必須設計一最佳抗反射膜，以涵蓋雷射發光光譜。經採用雙層薄膜各自使用非1/4波長膜相，其光學抗反射膜是具有寬光譜範圍特徵，且使得雷射二極體在鍍膜端面之發射光，達成高穿透率效果。 2. 半功率全寬 FWHP(Full Width at Half Power) 2.1. A6b非對稱半導體(InGaAsP/InP)雷射達到218nm波長 (1359.45nm ~1577.45nm)寬。 2.2. 1550nm波長半導體(InGaAlAs/InP)雷射為75nm波長 (1500nm ~1575nm)寬。 3. 實驗測試結果也佐證了若要獲得更寬的FWHP，必須依非對稱量子井結構設計使發光區域之間距加長或增加主要發光之材料種類，最終使雷射增益範圍增大，再將雷射一端鏡面鍍抗反射膜後，即可達成目的。 4. 在提升光輸出功率方面，則可將雷射一端鏡面鍍高反射膜，另一端鏡面鍍抗反射膜或者結合外部共振腔方式，如此可獲得高功率寬光譜雷射。 * p-side n-side *
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