CELL-PIRubbing简介.ppt

XIAMEN TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD. Xiamen Tianma Micro-electronics Co.,Ltd PIRubbing工艺简介 1. CELL工艺简介 目录 5. PIRubbing主要不良 4. Rubbing设备及工艺 2. PIRubbing基本原理 3. PI设备及工艺 TFT PANEL 模组 ARRAY CELL MODULE 彩膜 CF 1.Cell工艺 PIRubbing ODF End CELL BPC PI Print Pre Cure Main Cure Rubbing Seal Spacer Short LC VAS UV Cure Seal Cure Cutting POL CLV Trimmer ARC CELL工艺的基本流程 通过一种特殊的印刷工艺，经 过一系列处理后在TFT/CF基板 上分别形成一层均匀的PI膜，电 机带动贴附有摩擦布的辊轮高 速旋转，摩擦布上的绒毛在PI膜 上完成摩擦动作从而在PI膜上产 生具有对液晶配向的结构。 2.PIRubbing简介 2.1液晶配向技术简介 2.2 液晶配向理论 2.3 PI膜形成机理 Pre-tilt Angle Rubbing Angle 2.4 Rubbing目的及原理 配向能力不足 像素电极和信号电极产生的横向电场，使某个区域液晶分子反转。 基板段差(表面结构高低不平)，造成液晶分子反转。 像素电极 信号电极 液晶 PI 电场线 配向能力：PI膜使液晶分子沿一定方向排列能力的强弱。 2.5 配向能力 预倾角(Pre-tilt Angle)：液晶分子一端在摩擦方向上相对于PI膜表面翘起的角度。 Pre-tilt Angle Liquid Crystal Long Alkyl Chain Polyimide Surface Glass + PI LC 电场方向 Pre-tilt Angle 0 LC 电场方向 Glass + PI ? ? Pre-tilt Angle ＝0 2.6 预倾角 显示模式 预倾角 TN 预倾角越大响应速度越快，预倾角大小对对比度的影响较小(常白模式)。 摩擦强度越小预倾角越大，但摩擦强度过小会导致配向能力变差。 VA 设计屋脊状凸起物获得倾斜垂直方向的预倾角(无Rubbing)。 SFT 预倾角越小对比度越大。 Rubbing Angle为其真正的“预倾角”，Rubbing Angle越大响应速度越快但同时其对比度会变小，应选择合适的Rubbing Angle。 不同显示模式的预倾角 3.PI Line设备布局 Before PI Clean Buffer Robot PI Coater Pre-Cure Main-Cure COOL Robot Inspection Inspection Robot Robot Robot Buffer PI Coater U L D L D Before PI Clean Main-Cure Pre-Cure PI Line 2# PI Line 1# Operator COOL Robot Robot L D U L D Scraper Dispenser APR 版 配向膜印刷:在TFT及CF基板上印刷一层均匀的PAA膜(PI的前驱体)。 3.1 PI Print PI Print设备各部件结构 3.2 Pre-cure 预固化：通过加热使PAA膜中的溶剂(NMP)部分挥发，使其初步成膜，并防止异物的附着。 Substrate Hot plate Proximity pin Lift pin 非接触式加热 3.3 Main Cure 主固化：高温使溶剂全部挥发，PAA发生脱水反应而环化变为PI。 水平层流热风循环方式 Line 1 _ CF Line Line 2 _ TFT Line STK 6 Robot Rubbing Inspection Turn unit USC USC Robot Turn unit USC Robot Robot USC port1 port2 port1 port2 图5 Rubbing Line 4.Rubbing设备布局 4.1 Rubbing设备主要构成 Rubbing布在使用前要经过Aging处理(Dummy Glass)，使其 毛向为产品的Rubbing Angle。 4.2 Rubbing Cloth Rubbing Angle：根据工艺文件确定TFT及CF基板的摩擦方 向及基板旋转角度，并考虑Table速度计算出Roller角度。 Pretilt Angle：在一定范围内，压入量越大预倾角越小。 摩擦强度定义 变化 影响