刻度研究——击中点能量与其周围能量的关系-IndicoIHEP.PPT

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2018-07-18 发布于天津
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刻度研究——击中点能量与其周围能量的关系-IndicoIHEP

Simplified 几何 * 击中点为X=20mm,Y=10mm 击中点为X=1000mm,Y=400mm Simplified 几何 Arbor效果 * phonton，塑闪厚度2mm，Cell Size 5x5mm (Scintillator:2,Air:0.5,PCB:2,Air:0.5,W:3,Air:0.5)*50 不同厚度下 Arbor效果 * 不同能量下 LCEn/TCEn * 1GeV photon 5GeV photon 10GeV photon 50GeV photon phonton，塑闪厚度2mm，Cell Size 5x5mm (Scintillator:2,Air:0.5,PCB:2,Air:0.5,W:3,Air:0.5)*50 能量线性对比 * phonton，塑闪厚度2mm，Cell Size 5x5mm (Scintillator:2,Air:0.5,PCB:2,Air:0.5,W:3,Air:0.5)*50 能量分辨率对比 * phonton，塑闪厚度2mm，Cell Size 5x5mm (Scintillator:2,Air:0.5,PCB:2,Air:0.5,W:3,Air:0.5)*50 不同能量下 LCEn/TCEn * 10GeV photon All Hits phonton，塑闪厚度2mm，Cell Size 5x5mm (Scintillator:2,Air:0.5,PCB:2,Air:0.5,W:3,Air:0.5)*50 10GeV photon Leading Cluster 50GeV photon Leading Cluster 50GeV photon All Hits Simplified 几何 * 击中点为X=20mm,Leading Cluster Hits 击中点为X=20mm,All Hits, Ki1000 * * * * * * * * * * * * * * * *