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3.晶体管的测量 * 晶体管的测量主要包括以下内容： 1）晶体管的类型是NPN型还是PNP型； 2）材料是硅管还是锗管； 3）晶体管的电极（基极、集电极、发射集）； 4）晶体管的性能好坏。 具体测量内容和方法见教材介绍。 3.1.6 场效应晶体管 1. 场效应晶体管的原理及分类 结型场效应晶体管结构如图3-9所示，有三个电极，分别为栅极（g）、漏极(d)和源极(s)，分别与普通晶体管的三个电极基极、集电极和发射极相对应。 * 图3-9 场效应晶体管结构示意图 * N沟道型 b) P沟道型 图3-10 结型场效应晶体管电路符号 场效应晶体管按其结构原理不同可分为： 结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管，后者又称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称MOS型FET； 按照沟道分为P沟道和N沟道场效应晶体管。 电路符号如图3-10所示。 2. 场效应晶体管的封装和测量 （1）结型场效晶体管极性的判别 （2）绝缘栅型场效应晶体管极性的判别? 1）栅极G的判定 。 2）漏极D、源极S及类型的判定。 ? （3）绝缘栅型场效应晶体管的好坏判别 具体测量