半导体材料（大学课件）张源涛-课件-第一章.pdfVIP

第1章硅和锗的化学制备 第1章硅和锗的化学制备 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 第1章硅和锗的化学制备 第1章硅和锗的化学制备 1-1 硅和锗的物理化学性质 1-2 高纯硅的制备 1-3 锗的富集与提纯 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 一、硅和锗的物理性质比较 性质 硅（Si ） 锗（Ge ） 原子序数 14 32 3 22 22 原子密度(个/cm ) 5.22×10 4.42×10 晶体结构 金刚石型 金刚石型 晶格常数(nm) 0.5431 0.5657 熔点(℃) 1417 937 介电常数 11.7 16.3 禁带宽度(eV) 1.12 0.67 电子迁移率(cm2/V⋅s) 1350 3900 空穴迁移率(cm2/V⋅s) 480 1900 本征电阻率Ω⋅cm 2.3×105 46.0 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 二、硅和锗的化学性质 室温下性质较稳定，不溶于单一的强酸，只能与强 碱及氟化物反应。 Si+2F ═SiF ↑ 2 4 Si+4HF ═SiF ↑+ 2H ↑ 4 2 Si+2NaOH+H O ═Na SiO +2H ↑ 2 2 3 2 高温下化学活性大，可与氧、卤素、卤化氢、碳、 氮气、硫及熔融金属发生反应。 高温下硅与O 、H O反应生成SiO 。（平面工艺 2 2 2 掩膜） 高温下硅与Cl 反应生成SiCl 。 2 4 高温下硅与HCl反应生成SiHCl3 。 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 二、硅和锗的化学性质 硅 （锗）镁合金与无机酸或卤铵盐反应可制备硅 （锗）烷(SiH 或GeH ) 。 4 4 Mg Si+4HCl ═SiH +2MgCl 2