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* 霍尔传感器 转换原理：霍尔传感器是利用霍尔效应实现磁电 转换的一种传感器 分类：有普通型、高灵敏度型、低温度系数型、 测温测磁型和开关式的霍尔元件。 特性：霍尔传感器具有灵敏度高、线性度好、稳 定性高、体积小和耐高温等特件 应用：直接测量磁场、微位移量，也可以间接测 量液位、压力等工业生产过程参数。 霍尔传感器已从分立元件发展到了集成电路的阶段 一、霍尔效应 二、霍尔元件? 三、温度特性及补偿 四、零位特性及补偿 五、集成霍尔传感器 六、霍尔传感器的应用 1．霍尔效应 长为L、宽为b、厚为d 的导体（或半导体）薄片，被置于磁感应强度为B的磁场中（平面与磁场垂直），在与磁场方向正交的两边通以控制电流 I，则在导体另外两边将产生一个大小与控制电流 I 和磁感应强度 B乘积成正比的电势UH，且UH＝KHIB，其中KH为霍尔元件的灵敏度。这一现象称为霍尔效应,该电势称为霍尔电势,半导体薄片就是霍尔元件。 2．工作原理 霍尔效应是导体中自由电荷受洛仑兹力作用而产生的。设霍尔元件为N型半导体，当它通以电流 I 时，半导体中的电子受到磁场中洛仑兹力FL的作用，其大小为 式中υ为电子速度，B为垂直于霍尔元件表面的磁感应强度。在FL的作用下，电子向垂直于B和υ的方向偏移，在器件的某一端积聚负电荷，另一端面则为正电荷积聚。 电荷的聚积必将产生静电场，即为霍尔电场，该静电场对电子的作用力为FE与洛仑兹力方向相反，将阻止电子继续偏转，其大小为 式中EH为霍尔电场，e 为电子电量，UH为霍尔电势。当FL = FE时，电子的积累达到动平衡，即 所以 。设流过霍尔元件的电流为 I 时， 式中bd为与电流方向垂直的截面积，n为单位体积内自由电子数(载流子浓度)。则 1）霍耳灵敏度 令 KH为霍尔元件的灵敏度。它表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小，KH=RH/d，它的单位是mV/(mA·T)由式(6-2-6)可见，霍尔元件灵敏度KH是在单位磁感应强度和单位激励电流作用下，霍尔元件输出的霍尔电压值，它不仅决定于载流体材料，而且取决于它的几何尺寸 RH则被定义为霍尔传感器的霍尔系数。它反映材料霍尔效应的强弱. 由于金属导体内的载流子浓度大于半导体内的载流子浓度，所以，半导体霍尔系数大于导体。 3．霍尔系数及灵敏度 则 霍尔电势 则 2）霍耳灵敏度 令 通过以上分析，可以看出: 1) 霍尔电压UH与材料的性质有关。根据式(6-2-8)，材料的ρ、μ大，RH就大。金属的μ虽然很大，但ρ很小，故不宜做成元件。在半导体材料中，由于电子的迁移率比空穴的大，且μnμp，所以霍尔元件一般采用N型半导体材料。 2) 霍尔电压UH与元件的尺寸有关。 根据式(6-2-7)，d 愈小，KH 愈大，霍尔灵敏度愈高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但d太小，会使元件的输入、输出电阻增加。 从式(6-2-4)中可见，元件的长度比l/b对UH也有影响。前面的公式推导，都是以半导体内各处载流子作平行直线运动为前提的。这种情况只有在l/b很大时，即控制电极对霍尔电极无影响时才成立，但实际上这是做不到的。由于控制电极对内部产生的霍尔电压有局部短路作用在两控制电极的中间处测得的霍尔电压最大，离控制电极很近的地方，霍尔电压下降到接近于零。为了减少短路影响l/b要大一些，一般l/b=2。但如果l/b过大，反而使输入功耗增加降低元件的输出。 霍尔电压UH与控制电流及磁场强度有关。根据式正比于及。当控制电流恒定时愈大愈大。当磁场改变方向时，也改变方向。同样，当霍尔灵敏度及磁感应强度恒定时，增加控制电流，也可以提高霍尔电压的输出。 在实际应用中，总是希望获得较大的霍尔电压。增加控制电流虽然能提高霍尔电压输出，但控制电流太大，元件的功耗也增加，从而导致元件的温度升高，甚至可能烧毁元件。 设霍尔元件的输入电阻为Ri，当输入控制电流I时，元件的功耗Pi为 (6-2-9) 式中，ρ为霍尔元件的电阻率。 设霍尔元件允许的最大温升为ΔT，相应的最大允许控制电流为Icm时，在单位时间内通过霍尔元件表面逸散的热量应等于霍尔元件的最大功耗，即 (6-2-10) 式中，