福师18春模拟电子线路在线作业一.docVIP

谋学网HYPERLINK /(单选题) 1: 交流负反馈是指（ ）A: 阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B: 只有放大交流信号时才有的负反馈C: 在交流通路中的负反馈(单选题) 2: 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（ ）A: 差模放大倍数数值增大B: 抑制共模信号能力增强C: 差模输入电阻增大(单选题) 3: 在深度负反馈时，放大器的放大倍数（ ）A: 仅与基本放大器有关B: 仅与反馈网络有关C: 与二者密切相关D: 与二者均无关(单选题) 4: 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ ）A: 减小温漂B: 增大放大倍数C: 提高输入电阻(单选题) 5: 本征半导体中的自由电子浓度( )空穴浓度A: 大于B: 小于C: 等于(单选题) 6: 稳压管的稳压区是其工作在（ ）A: 正向导通B: 反向截止C: 反向击穿(单选题) 7: 由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻（ ）A: 越大B: 越小C: 不变(单选题) 8: 在本征半导体中加入（ ）元素可形成P型半导体。A: 五价B: 四价C: 三价(单选题) 9: 温度升高，晶体管的管压降|UBE|（ ）A: 升高B: 降低C: 不变(单选题) 10: 温度升高，晶体管输出特性曲线( )A: 上移B: 下移C: 不变(单选题) 11: 在（）三极管发射结和集电结都处于正向偏置状态，管子的集电极电流基本不随基极电流变化。( )A: 截止区B: 放大区C: 饱和区(单选题) 12: 在（ ）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，输出特性曲线比较平坦，近似为水平的直线。A: 截止区B: 放大区C: 饱和区(单选题) 13: 有一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若工作电压UCE=1V，则工作电流IC不得超过（ ）mA.A: 15B: 100C: 30D: 150(单选题) 14: 集成运放制造工艺使得同类半导体管的（ ）A: 指标参数准确B: 参数不受温度影响C: 参数一致性好(单选题) 15: 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（ ）。A: 电压串联负反馈B: 电压并联负反馈C: 电流串联负反馈D: 电流并联负反馈(单选题) 16: 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）A: 前者反偏、后者也反偏B: 前者正偏、后者反偏C: 前者正偏、后者也正偏(单选题) 17: 在输入量不变的情况下，若引入反馈后( )，则说明引入的反馈是负反馈。A: 输入电阻增大B: 输出量增大C: 净输入量增大D: 净输入量减小(单选题) 18: 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U2=2.1V的那个极是（ ）.A: 发射极B: 基极C: 集电极(单选题) 19: 双极型三极管有两种类型：NPN型和PNP型，无论何种类型，内部均包含（ ）PN结，并引出（ ）电极。A: 一个 两个B: 两个 三个C: 两个 两个D: 三个 两个(单选题) 20: 使用稳压管组成稳压电路时，应使外加电源的正极接管子的（ ），电源的负极接（ ），以保证稳压管工作在反向击穿区，稳压管应与负载电阻（），由于稳压管两端电压变化量很小，使输出电压比较稳定。A: N区 P区 串联B: N区 P区 并联C: P区 N区 串联D: P区 N区 并联(单选题) 21: UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ ）。A: 结型管B: 增强型MOS管C: 耗尽型MOS管(单选题) 22: 对于硅晶体管来说其死区电压约为( )A: 0.1B: 0.5C: 0.7(单选题) 23: PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ）A: 变窄B: 基本不变C: 变宽(单选题) 24: 欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（ ）。A: 电压串联负反馈B: 电压并联负反馈C: 电流串联负反馈D: 电流并联负反馈(单选题) 25: 在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则( )A: 输出电压约为2UDB: 变为半波直流C: 整流管将因电流过大而烧坏(多选题) 1: 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。A: 耦合电容和旁路电容的存在B: 半导体管极间电容和分布电容的存在C: 半导体管的非线性特性D: 放大电路的静态工作点不合适,B(多选题) 2: 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )A: 电阻阻值有误差B: 晶体管参数的分散性C: 晶体管参数受温度影响D: 电源电压不稳定,D(多选题) 3: 为