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霍尔传感器原理及其应用;霍尔元件的外形如图所示，它是由霍尔片、4根引线和壳体组成。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片（一般为），在它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色导线。 其焊接处称为控制电流极（或称激励电流），要求焊接处接触电阻很小，并呈纯电阻，即欧姆接触（无PN结特性）。;在薄片的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线。其焊接处称为霍尔电极，要求欧姆接触，且电极宽度与基片长度之比小于0.1，否则影响输出。 霍尔元件的壳体上是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。 目前，最常用的霍尔元件材料是鍺（Ge）、硅（Si）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In型固熔体等半导体材料。 20世纪80年代末出现了一种新型霍尔元件——超晶格结构（砷化铝/砷化稼）的霍尔器件，它可以用来测量微磁场。可以说，超晶格霍尔元件是霍尔元件的一个质的飞跃。 ;霍尔传感器的命名方法 国产霍尔元件型号命名的方法，如图所示。 ;半导体薄片置于磁场中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势，这种现象称为霍尔效应，该电动势称霍尔电势，半导体薄片称霍尔元件。 在垂直于外磁场B的方向上放置半导体薄片，当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场方向上将产生霍尔电势EH。作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势EH也就越高。 ;霍尔电势可用下式表示： EH=KHIB KH=ned KH——霍尔器件的灵敏度，它表示霍尔器件在单位磁感应强度和单位激励电流作用下霍尔电势的大小。 由上式看出，当磁场和环境温度一定时，霍尔元件输出的霍尔电势EH与控制电流I成正比。同样，当控制电流和环境温度一定时，霍尔元件的输出电势与磁感应强度B的乘积成正比。用上述的一些线性关系可以制作多种类型的传感器。但是，只有磁感应强度小于0.5T时，上述的线性关系才较好。 ; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用; 霍尔传感器的应用;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;编码器与光栅尺;变频器技术;变频器技术;变频器技术;变频器技术;变频器技术;变频器技术;变频器技术;变频器技术;变频器技术;变频器技术;变频器技术;变频器技术;变频器技术;变频器技术;变频器技术