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- 2018-07-23 发布于江苏
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计算机组成原理三章 第讲 SRAM存储器
SRAM存储器 * * 3.2 SRAM存储器 主存(内部存储器)是半导体存储器。根据信息存储的机理不同可以分为两类: 相对而言 静态读写存储器(SRAM): 存取速度快,一般用作Cache 动态读写存储器(DRAM): 存储容量大,一般用作主存 3.2 SRAM存储器 一、基本的静态存储元阵列 1、存储元: 用锁存器实现。 需要加电,无限期保持0或者1状态。 3.2 SRAM存储器 回顾译码器 63 可参考CAI动画 3.2 SRAM存储器 2、三组信号线 地址线:A0-A5,可指定26=64个存储单元 数据线:I/O0,I/O1 ,I/O2 ,I/O3 行线,列线 存储器的字长4位 控制线:读或写 存储位元、存储单元、字存储单元、最小寻址单位、最小编址单位。 3.2 SRAM存储器 二、基本的SRAM逻辑结构 SRAM芯大多采用双译码方式,以便组织更大的存储容量。采用了二级译码:将地址位分成两组,分别为x向、y向两部分,如图所示。 A0~A7为行地址译码线 A8~A14为列地址译码线 3.2 SRAM存储器 结构分析 X方向译码输出256行 Y方向译码128行 存储器数据宽度8位 写入数据: 输入缓冲器被打开,输出缓冲器关闭 读出数据 输出缓冲器被打开,输入缓冲器关闭 3.2 SRAM存储器 读与写的互锁逻辑 控制信号中CS是片选信号,CS有效时(低电平)
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