浅谈新型高压快脉冲发生器.docVIP

新型高压快脉冲发生器相关情况解析方案 HYPERLINK / \t _blank /????来源：元器件交易网????日期：2012年02月03日　　1、引言　　目前，在大功率、高 HYPERLINK /nic/频率.html \t _blank 频率、窄脉冲的应用领域中利用的基本都是真空管，如：二次电子发射管、放电间隙 HYPERLINK /search/nic0.html \t _blank 开关、触发管、氢闸管等。主要研究方向是如何提高电真空器件的 HYPERLINK /search/nic0.html \t _blank 开关速度，减小其触发晃动，研制与其相配的高速高压驱动电路。但是真空电子管这类器件存在损耗大、驱动电路庞大、冷却麻烦等缺点;同时，为了在速调管打火时对其进行快速保护，还经常需要在调制器中设置复杂的撬棒管及其触发电路，这些问题直接影响调制器的效率和可靠[1]。近年来，由于 HYPERLINK /nic/半导体.html \t _blank 半导体器件的电压和功率等级不断提升，相关技术也在逐步完善，为解决上述问题创造了条件。基于该项技术发展趋势，本文设计了一种新型高压快脉冲发生器。　　2、输出指标和基本结构　　高电压、快脉冲和高重复率是脉冲功率装置的发展方向。高频化是减小系统体积的一个有效途径。本设计采用IGBT做为主 HYPERLINK /search/nic0.html \t _blank 开关器件，输出脉冲电压峰峰值为±5kV， HYPERLINK /nic/频率.html \t _blank 频率为1kHz～10kHz可调，脉冲前沿200ns。　　本高压快脉冲发生器的设计主要分为三部分：　　(1)可调高压直流发生器：使用工频交流电为 HYPERLINK /search/nic0.html \t _blank 电源，在低压部分经过整流、逆变电路产生低压脉冲，经脉冲 HYPERLINK /search/nic0.html \t _blank 变压器升压，成为高压脉冲再经不可控整流为高压直流。再将其作为高压直流 HYPERLINK /search/nic0.html \t _blank 电源提供给最后的高压脉冲发生部分。可调高压直流发生器结构如图1所示。　　图1 可调高压直流发生器结构图　　(2)高压脉冲发生部分：将高压直流 HYPERLINK /search/nic0.html \t _blank 电源提供的直流高压送入可控 HYPERLINK /search/nic0.html \t _blank 开关器件，产生所需要的高压脉冲。　　(3)高压逆变控制和驱动部分：控制高压逆变过程中的 HYPERLINK /search/nic0.html \t _blank 开关器件的开通与关断。在控制方面采用基于PWM控制方法的 HYPERLINK /nic/芯片.html \t _blank 芯片SG3525。在驱动电路方面，采用三菱公司的IGBT专用驱动 HYPERLINK /nic/芯片.html \t _blank 芯片M57962L。　　3、可调直流电压发生电路的设计　　首先将工频交流电整流，拓扑结构选用的是半控桥式整流电路， HYPERLINK /search/nic0.html \t _blank 开关器件选用的是双向晶闸管BTA20。单相半控桥式整流电路整流电压平均值如下式所示：　　根据该公式，采用相位控制方式，即通过对低压整流部分使用的晶闸管的开通角进行控制，得到幅值可调的直流低压。控制 HYPERLINK /nic/芯片.html \t _blank 芯片选用SIEME HYPERLINK /ic/dealer_524.do \t _blank NS公司的TCA785相位控制专用 HYPERLINK /nic/芯片.html \t _blank 芯片。同时，为了准确的识别交流电压零点，设计了零点识别电路。低压整流及控制电路原理图如图2所示。　图2 低压整流及控制电路原理图　　低压逆变电路拓扑结构采用半桥逆变电路，开关器件选用电力场效应管 HYPERLINK /nic/MOSFET.html \t _blank MOSFET，型号为IRF840。 HYPERLINK /nic/MOSFET.html \t _blank MOSFET的快速关断过程中，线路中由于配线等原因而产生的电感中积蓄的能量释放和辅助回路中续流 HYPERLINK /search/nic0.html \t _bl