参数建模与仿真分析论文.docVIP

目 录 河南大学物理与电子学院本科毕业论文PAGE 28PAGE 29编号：大学本科毕业论文IGBT参数建模与仿真分析 论文作者姓名： 作 者 学 号： 所 在 学 院： 物理与电子学院 所 学 专 业： 测控技术与仪器 导师姓名职称： 耿涛 副教授 论文完成时间： 年05月10日 目 录 TOC \o 1-4 \u IGBT参数建模与仿真分析 PAGEREF _Toc13873 1The Parametric Model and Simulation Analysis of IGBT PAGEREF _Toc30716 20 前言 PAGEREF _Toc13988 31 IGBT器件结构与工作原理 PAGEREF _Toc7106 51.1 IGBT器件结构及原理 PAGEREF _Toc16797 51.2 IGBT的运行特性 PAGEREF _Toc26393 62 IGBT 失效理论与分析 PAGEREF _Toc11628 92.1 硅参数温度模型 PAGEREF _Toc595 92.2 硅参数的仿真: PAGEREF _Toc26476 112.3 IGBT失效因素 PAGEREF _Toc14946 133 IGBT的电气模型 PAGEREF _Toc29103 183.1 IGBT模型分类 PAGEREF _Toc22127 183.2 IGBT器件的等效电路 PAGEREF _Toc30372 183.3 IGBT的模型 PAGEREF _Toc8023 274 IGBT模型参数提取 PAGEREF _Toc27454 294.1 栅极电容、的提取 PAGEREF _Toc20405 294.2 跨导的提取 PAGEREF _Toc15160 304.3 剩余载流子寿命的提取 PAGEREF _Toc6570 314.4 栅漏极有效导电面积的提取 PAGEREF _Toc6227 315 IGBT老化初期形成表现 PAGEREF _Toc6023 335.1 IGBT的老化过程中外部参数的变化情况 PAGEREF _Toc3281 335.2 集射极饱和压降Vce(sat) PAGEREF _Toc26357 355.3 IGBT导通关断时间 PAGEREF _Toc12917 366 结论 PAGEREF _Toc27232 37参考文献 PAGEREF _Toc15053 38河南大学物理与电子学院本科毕业论文IGBT参数建模与仿真分析（大学物理与电子学院， 开封，475004）摘 要:随着国民经济各领域的发展与国防工业对电能变换和处理的要求不断提高，以及要满足节能与新能源开发的需求，作为电能变换装置核心部件的功率半导体器件也起着越来越重要的作用。其中绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT )由于同时具有功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单以及功率BJT高电流密度的优点，已经成为我国当前工业领域应用最广泛的全控型电力电子器件。然而由于其工作环境条件的不同以及功率波动，功率器件持续经受热电冲击，加剧器件老化进程，成为影响电能变换的装置可靠性问题的关键性因素之一。 本论文首先在对IGBT的结构，工作原理以及特性进行深入分析的基础上，利用matlab\simulink软件搭建IGBT的简化模型；其次对IGBT失效问题进行理论分析，分别从IGBT失效因素，失效机理等方面进行深入分析、总结与探讨；再次根据仿真结果得出：由于IGBT工作环境等因素影响使其不断受到电热冲击，导致模块内部键合线发生蠕动，芯片内部产生疲劳裂痕，最终导致失效的结论，从而建立起能够预测IGBT寿命的模型。关键词: 绝缘栅型晶体管(IGBT) ，故障检测， 寿命， 可靠性 The Parametric Model and Simulation Analysis of IGBTCao Wenming(School of Physics and Electronics, Henan University, Henan Kaifeng 475004, China)Abstract: With the development of the fields of national economy and the increasing req