微电子工艺学课程_7.pdfVIP

微电子工艺学 第一章 绪论 第二章 现代 CMOS 工艺技术 第三章 晶体生长与衬底制备 第四章第四章 加工环境与基片清洗加工环境与基片清洗 第五章 光刻 第六章 热氧化 第七章 扩散掺杂 第八章 离子注入掺杂 第九章 薄膜淀积 第十章 刻蚀 第十一章第十一章 后段工艺与集成后段工艺与集成 11 掺杂原理与技术 掺杂：将所需要的杂质以一定的方式加入到半导体晶片内，并使 其在晶片内的数量和分布符合预定的要求其在晶片内的数量和分布符合预定的要求。。 目的：改变晶片电学性质，实现器件和电路纵向结构。 方式：合金、中子嬗变、扩散（diffusion ）、离子注入（ion implantation ）。 ＋V G 0 V ＋VD 前段设计的主要难点： 精确控制有源区掺杂 栅栅 n 型 n 型 pp 型型 NN －－沟道沟道MOSFETMOSFET 222 杂质固溶度 硅晶格生长 掺杂在微电子器件中的应用 决定 的杂质决定 掺入的杂质是电活性的，能提供所需的载流子，使许多微结构和器件 21 3 13 3 得以实现得以实现。。掺杂的最高极限约掺杂的最高极限约10 atoms/cm ，，最低最低10 atoms/cm 。。 晶片 器 件 作 用 杂 质 隐埋区隐埋区 Sb,, As 隔离区 B, Al 双极型晶体管及其 IC 基区 B, P 硅硅 发射区发射区 PP, AsAs, PP-AsAs, BB 电阻 B:P 开关管及高速 IC 提高开关速度 Au, Pt MOS 晶体管及其 IC 源、漏、沟道、阱 B:P, As MI SIC ，结型场效应晶