半导体器件理2013_1.pptx

半导体器件原理;半导体器件原理;课程目录;;微电子学研究领域;固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体;;半导体材料的纯度和晶体结构;1.1.1 晶体的结构;;密勒(Miller)指数;;(111)晶面;半导体中的缺陷;1.1.2 半导体的独特性质;+14;半导体模型;1.2.2 晶体中的能带 （价带、导带和带隙〕;;价带：0K条件下被电子填充的能量的能带 导带：0K条件下未被电子填充的能量的能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差;半导体、绝缘体和导体;电子：带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位;1.3.1 电子密度和空穴密度表达式;费米分布函数;1.3.2 载流子密度与费米能级位置的关系;;1.3.2 载流子密度与费米能级位置的关系;1.4 杂质半导体;有效质量;;施主和受主的相互补偿;1.4.2 杂质半导体;杂质半导体的载流子浓度;特殊情况;举例;举例;;载流子浓度与温度的关系;1.5 非平衡载流子;非平衡载流子和电中性;平衡载流子满足费米－狄拉克统计分布;1.5.2 非平衡载流子的寿命;1.5.2 非平衡载流子的寿命;复合率;1.5.3 复合中心;产生;1.6 载流子的运动;热能和热速度;1.6.1 载流子的漂移;迁移率;影响迁移率的因素;;漂移电流与电导率;电阻率与掺杂的关系;1.6.2 载流子的扩散运动;;扩散电流;半导体内总电流;能带弯曲;;扩散系数和迁移率的关系;;课程目录;2 PN结;PN结杂质分布;2.1 平衡PN结;接触电势差;接触电势差;接触电势差;2.1.2 空间电荷区电场和电势分布;Poisson方程;耗尽近似;耗尽层模型;突变结耗尽区的电场与电势分布;电场分布;;电势分布;耗尽层宽度;耗尽层宽度;举例计算;VA?0条件下的突变结;反偏PN结;线性缓变结;;计算举例;2.2 PN结的直流特性;理想二极管方程;准费米能级;定量方程;准中性区的载流子运动情况;;;耗尽层边界(续);准中性区载流子浓度;理想二极管方程;理想二极管方程(1);;电子电流;PN结电流;短二极管情况;2.2.3 势垒区的复合和大注入对正向伏安特性的影响;势垒区的产生与复合;空间电荷区的产生与复合-1;;大电流现象(1/4);大电流现象(2/4);大电流现象(3/4);大电流现象(4/4);PN???电流与温度的关系;2.3 PN结电容;2.3.1 突变结势垒电容;突变结势垒电容;2.3.2 线性缓变结势垒电容;参数提取和杂质分布;2.3.3 扩散结的势垒电容;2.3.4 PN结的扩散电容;扩散电容-1;扩散电容-2;PN结小信号特性;小信号特性-1;小信号等效电路;2.4 PN结的击穿;1.雪崩倍增击穿;雪崩击穿电压与掺杂浓度的关系;雪崩击穿电压与半导体外延层厚度的关系;扩散结结深对击穿电压的影响;雪崩击穿通用公式;2.隧道击穿;两种击穿的区别;2.4.2 热击穿;小结