微电子工艺学课程_6.pdfVIP

微电子工艺学 第一章 绪论 第二章 现代CMOS 工艺技术 第三章 晶体生长与衬底制备 第四章 加工环境与基片清洗 第五章 光刻 第六章 热氧化 第七章 扩散掺杂 第八章 离子注入掺杂 第九章 薄膜淀积 第十章 刻蚀 第十一章 后段工艺与集成 11 薄膜制备技术 在微电子器件中广泛使用着各种薄膜，这些薄膜可以粗略地分为 五大类：热氧化薄膜、电介质薄膜、外延薄膜、多晶硅薄膜以及金属 薄膜。其特点是： 一、在微电子器件中用途各异，例如： 热氧化薄膜和电介质薄膜— 导电层之间的绝缘层，扩散和离子 注入的掩模，防止掺杂杂质损失而覆盖在掺杂膜上的覆盖膜或钝化 膜； 外延薄膜— 器件工作区； 多晶硅薄膜— MOS 器件中的栅级材料，多层金属化的导电材料 以及浅结器件的接触材料； 金属膜和金属硅化物薄膜— 形成低电阻内连、欧姆接触及用来调 整金属与半导体之间的势垒。 2 二、用于制备薄膜的材料种类繁多，例如： 硅和砷化镓等半导体材料； 金和铝等金属材料； 二氧化硅、磷硅玻璃、氮化硅、氧化铝等无机绝缘材料； 多晶硅和非晶硅等无机半绝缘材料； 钼、钨等难熔金属硅化物及重掺杂多晶硅等非金属低阻材料； 聚亚酰胺类有机绝缘树脂材料等等。 正因为如此，微电子工艺中的薄膜制备方法千差万别，特点各异。 薄膜淀积技术一直在飞速进步，发展出了很多种类，已经成为一门独 立的工艺技术学科，相应的理论研究非常深入和广泛，从经典的热力 学理论到建立在原子级观测的成核理论，几乎涉及到薄膜科学的每个 方面。 3 薄膜淀积 物理淀积 化学淀积 化 化 溅 真 学 学 外 空 气 液 蒸 相 相 射 发 淀 淀 延 积 积 L P 高 / M 离 电 分 A