只有最外层电子的共有化运动才显着.PPTVIP

半导体物理 Semiconductor Physics 来描述电子的能量。 这样，如图所示，在布里渊区的边界附近，能量高的部分E+按上式上升，能量低的部分E-按上式下降，于是在布里渊区边界(Δ=0),出现 的能 半导体物理 Semiconductor Physics 量间隔或能隙。在各能量间隔不存在允许的电子能级，或者说，晶体中的电子不能具有这个能量间隔的能量，这个能量间隔叫禁带。电子能谱的能带结构是周期场中运动电子的最基本特性。 禁带形成的物理机制 禁带形成的物理机制可以这样理解： 当电子的波矢离布里渊区边界较远时，如前所述的波函数公式中第二项散射波部分幅度很小，对入射波的干扰很小，于是电子态和自由电子很接近。 半导体物理 Semiconductor Physics 如果入射的自由电子的波矢接近布里渊区边界 nπ/a，与此波矢相差为倒格矢2nπ/a的散射波振幅就很大，它们与入射波干涉会形成驻波。这就使具有这样的能量的电子波不能进入晶体，不会在晶体中存在，因此在自由电子准连续的电子能谱中形成禁带。 事实上，由k= nπ/a和k=2 π/λ，可以得到2a=n λ，这正是一维布拉格全反射条件：相邻原子的背向散射波干涉相长，使入射波遭到全反射不能进入晶体内部。 半导体物理 Semiconductor Physics 能带结构的三种表示方式 周期图示 扩展布里渊区图示 简约布里渊区图示 半导体物理 Semiconductor Physics 一、当 k = n/2a (n = 0, ±1, ±2, …) 时，能量出现不连续，形成一系列允带和禁带。 二、允带出现在以下几个布里渊区中： 第一布里渊区 -1/2a k 1/2a 第二布里渊区 -1/a k 1/2a， 1/2a k 1/a 第三布里渊区 -3/2a k 1/a， 1/a k 3/2a 三、禁带出现在k = n/2a处，即出现在布里渊区边界上 四、E(k)也是k的周期性函数，周期为1/a，即 E(k) = E(k + n/a) k 和k + n/a表示相同的状态。 布里渊区与能带 半导体物理 Semiconductor Physics 五、考虑能带结构时，只需考虑 -1/2a k 1/2a 的区域就够了，也就是第一布里渊区，常称这一区域为简约布里渊区，这一区域内的波矢为简约波矢。 六、E为k的多值函数。因此，在说明E(k)和k的关系时，必须用En(k)标明是第几个能带。 七、与自由电子E-k关系对比： 晶体中 自由电子 E是k的多值函数 E是k的单值函数 能量连续 能量不连续 周期性 随k绝对值单调增大 相应E值与自由电子相近 半导体物理 Semiconductor Physics 八、对有限的晶体，根据周期性边界条件，波矢k只能取分立值。 对边长为L的立方晶体，波矢k的三个分量分别为 波矢k具有量子数的作用，它描述晶体中电子共有化运动的量子状态 可以证明每一个布里源区有N个k状态，每一个k值相应一个能级，k值分立，能级准连续，每个能带有N个能级，N为固体物理学原胞数。 半导体物理 Semiconductor Physics 三维晶格布里渊区的做法 首先做出晶体的倒格子，任选一倒格点为原点，由原点到最近及次近的倒格点引倒格矢，然后作倒格矢的垂直平分面，这些面就是布里