石英ルツボ.pptVIP

The technology for better silicon wafer H.Watanabe NABESHO PL 目次 貸与電池用シリコンウェハーに要求される特性 ライフタイム 酸素 炭素 アルカリ 金属 DF化率向上 ピンホール対策 バリウムコーティング石英ルツボ 太陽電池用シリコンウェハーに要求される特性 PN型シリコン＝ディスクリート半導体 ライフタイム＝変換効率（光によって励起されたキャリアが再結合するまでの時間） 酸素濃度（OSF、BOD) 炭素濃度 アルカリ 金属不純物 酸素がライフタイムを低下させる シリコン中に含まれる酸素とドーパントのボロン（B)が 光照射により、複合欠陥を生じ、少数キャリアの寿命を下げる １）酸素濃度低減 ２）N型基板 酸素起因のスワール欠陥が少数キャリアの寿命を下げる（OSF) １）引上げ速度 ２）低酸素 ３）高純度 酸素は何処から入るのか？ ９７％ ２％ １％ Si + SiO2 → 2SiO　→ 2Si + O2↑ The reaction between Silicon melt and crucible インゴット径とルツボ径 ルツボサイズとシリコン充填量 ヒーター温度 回転数 熱対流 ガスの流れ 圧力 酸素濃度を決定する要因 OSFと引上げ速度 引上げ機と酸素欠陥 低酸素化のためには SiO2 ＋ Si → 2SiO → 2Si + O2 １．引上げ炉の温度分布制御～低温引上げ ２．Arガスの流れを制御 ３．結晶化ルツボ 炭素の影響 １．Arガスの流れを制御 ２．減圧を上のほうから ３．高圧水使用石英ルツボ 炭素が酸素析出を助長 アルカリの影響 アルカリが酸素析出を助長 １．低アルカリルツボの使用 　日本国特許　2050487　渡部　　1991年出願 金属の影響 金属が酸素析出を助長 １．高純度ポリシリコンを使用 　 単結晶化歩留まり100%を達成するために Quartz crucible Cristobalite piece Silicon melt Mono-Silicon Cristobalite Si-polymer crucible Mechanism of happening Dislocation 歩留まりのかなりの要因は石英ルツボ Used Crucible surface　1 Used crucible surface 2 Surface roughness Ra=8.3 micron-meter Ra=14.2 micron-meter 石英ルツボから結晶片が剥がれる Inner surface of crucible Contact with Si melt Outer of crucible Cristobalite Convection by Si melt Glass is like a liquid at high temperature, Cristobalite is a solid. Baコーティングルツボはオールマイティか？ 結晶化に影響する要因 １．バリウム濃度 ２．引上げ温度 ３．引上げ時間 ４．ポリシリコンの純度 もし結晶化が進みすぎると….. 　石英ルツボは常に蒸気圧によりガスを発生している このガスが厚い結晶層に阻まれて抜けなくなる。 圧力が異常に増加すると、表面の結晶層をぶち破る 異常に結晶化してルツボが破壊されることも ピンホール不良を減らすには ピンホールの原因：ルツボの中にあるガス（気泡など） 　　　　　　　　　SiO2+2Si→2SiO→2Si+O2の反応ガス 　対策：減圧による気泡の追い出し 　　　　回転数により気泡を外周へ 　　　　石英ルツボ 　　　　　　　1.透明層の気泡減少 　　　　　　　2.合成ルツボ * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *