半导体存储器和AD转换.PPTVIP

7.2.1 半导体存储器概述 半导体存储器是用半导体器件来存储二值信息的大规模集成电路。 优点:集成度高、功耗小、可靠性高、价格低、体积小、外围电路简单、便于自动化批量生产等。 7.2 半导体存储器 第7章 半导体存储器和可编程逻辑器件 按存取方式分类 只读存储器 （Read Only Memory，ROM） 随机存取存储器 （Random Access Memory，RAM） ROM存放固定信息,只能读出信息,不能写入信息。当电源切断时,信息依然保留。 RAM可以随时从任一指定地址读出数据,也可以随时把数据写入任何指定的存储单元。 1. 半导体存储器的分类 （1）存储容量 指存储器所能存放的二进制信息的总量。一个基本存储单元能存储1b信息，即一个0或一个1。 （2）存取时间 一般用读（或写）周期来描述，连续两次读（或写）操作的最短时间间隔称为读（或写）周期。 2. 半导体存储器的主要技术指标 按数据的写入方式分类 固定 ROM 可编程 ROM 7.2.2 只读存储器(ROM) （1） ROM的结构 . . . . . . A0 A1 An-1 地址译码器 存储阵列 2n×m W0 W1 W2n-1 F0 F1 Fm-1 字线 位线 地址线 1. 固定 ROM 固定ROM也叫掩模ROM，由地址译码器和存储阵列两部分组成。 A1 A0 F0 F1 F2 F3 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 一个二极管ROM的例子 一个4×4的二极管固定ROM 2根地址线 4根字线 4根位线 4 9 6 2 1 A1 1 A0 W0 W1 W2 W3 F0 F1 F2 F3 位线 字线 二极管ROM电路图 0100 1001 0110 0010 地址 A1A0=00 A1A0=01 A1A0=10 A1A0=11 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 4 9 6 2 用户可根据需要自行进行编程的存储器. 一次性可编程 ROM （Programmable Read Only Memory，PROM） 光可擦除可编程ROM （Erasable Programmable Read Only Memory， EPROM） 电可擦除可编程 ROM （Electrical Erasable Programmable Read Only Memory，E2PROM） 快闪存储器（Flash Memory） 2.可编程ROM 位线 字线 编程为一次性的,烧断的熔丝不能再接上。 当在该位上需要存0时,通过 编程,烧断熔丝;当需存1时, 保留熔丝。 PROM的结构图 （1）一次性可编程 ROM（PROM） 熔断过程：出厂时全部为1。用编程器译中要写为0的地址单元，字线为高电平，位线加高压编程脉冲，使大电流流过二极管将熔丝熔断。 熔丝 EPROM 是一种可以多次擦除和改写内容的 ROM。 它与PROM 的总体结构相似，只是采用了不同的存储单元。 （2）光可擦除可编程ROM （EPROM） EPROM编程器 特点： ①编程和擦除均由电完成； ②既可整片擦除，也可使某些存储单元单独擦除； ③重复编程次数大大高于EPROM. （3）电可擦除可编程ROM （E2PROM） 快闪只读存储器是在吸收 E2PROM 擦写方便和EPROM结构简单、编程可靠的基础上研制出来的一种新型器件，它是采用一种类似于EPROM的单管叠栅结构的存储单元制成的新一代用电信号擦除的可编程ROM。 （4）快闪只读存储器（Flash Memory） 与单管叠栅结构EPROM的区别在于浮栅与衬底之间的氧化层厚度（FLASH：10～15nm，EPROM: 30～40nm）。 RAM可以随时从任一指定地址读出数据,也可以随时把数据写入任何指定的存储单元 。 RAM在计算机中主要用来存放程序及程序执行过程中产生的中间数据、运算结果等。 RAM按工艺分类： 1）双极型 2）场效应管型 场效应管型分为： 1）静态 2）动态 7.2.3 随机存取存储器(RAM) . . . . . . A0 A1 An-1 地址译码器 存 储 矩 阵 W0 W1 W2n-1 字线 地址线 读写/控制电路 读写/控制(R/W) 片选(CS) 数据输入/输出 (I/O)