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半导体三极管和场效应管 3课件
1.3 半导体三极管;一、结构、符号和分类;分类：;双极性晶体管的常见外形图如图;二、放大条件、电路及电流分配;IE = IC + IB;三、 三极管的特性曲线;O;二、输出特性;iC / mA;iC / mA;三、温度对特性曲线的影响;2. 温度升高，输出特性曲线向上移。;四、 三极管的主要参数;iC / mA;三、极限参数;U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。;思考题;提示： （1）晶体管工作于放大状态的条件：NPN管：VC VBVE，PNP管：VEVBVC；（2）导通电压：硅管|VBE|= 0.6~0.7V，硅管|VBE|= 0.2~0.3V，;例2.3.2 已知NPN型硅管T1~ T4 各电极的直流电位如表2.3.1所示，试确定各晶体管的工作状态。;当 UCE = 10 V 时，IC mA
当 UCE = 1 V，则 IC mA
当 IC = 2 mA，则 UCE V;本讲主要介绍了以下基本内容：
双极性晶体管的结构和类型：NPN、PNP
晶体管的电流放大作用和电流分配关系
晶体管具有放大作用的内部条件
晶体管具有放大作用的外部条件
IE=IB+IC=(1+?)IB， IC=?IB，
晶体管的特性及参数
VBE、Von
晶体管的三个工作状态
温度对晶体管参数的影响 ;1.4 场效应管;引 言;特点：;一、 结型场效应管;一、增强型 N 沟道 MOSFET
(Mental Oxide Semi— FET);二、耗尽型 N 沟道 MOSFET;三、 场效应管的主要参数;UGS(th);4. 低频跨导 gm ;四、场效应管与晶体管的比较; ⑤场效应管的种类多，栅-源电压可正、可负，使用更灵活。;例 题;解: (a) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS?0，故为JFET（耗尽型）。
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