纳米集成电路单粒子效应的电荷收集及其若干影响因素分析-charge collection of single particle effect in nano-integrated circuit and analysis of its influencing factors.docx

国防 国防科学技术大学研究生院博士学位论文 国防 国防科学技术大学研究生院博士学位论文 摘 要 近年来航天事业的迅猛发展对抗辐照高性能的集成电路提出了新的更高的要 求，而辐照引发的单粒子效应已经成为制约空间用电子元器件可靠性的关键问题 之一。随着主流工艺进入纳米尺寸时代，集成电路对单粒子效应的敏感度急剧增 加。众所周知当器件收集到的电荷大于临界电荷时，器件就会发生单粒子效应。 在这种背景下，越来越多的研究集中在纳米工艺下的电荷收集机理方面。此外， 新结构和新材料的引入使器件辐照损伤的物理过程发生了显著变化，各种应力和 二阶效应相互交叉影响，传统电荷收集的模型与机理解释已经越来越不适应纳米 工艺下集成电路的单粒子效应和相应加固技术的研究。本文针对纳米工艺下单粒 子效应的新特点，对电荷收集机理和影响电荷收集的因素进行了深入研究，取得 的主要研究成果如下： （1） 量化了低能质子和 α 粒子的布拉格峰对 65 nm PN 结电荷收集的影响，解 释了低能质子导致纳米工艺下存储器高软错误率的试验现象。采用基于蒙特卡罗 的 Geant4 模拟和 TCAD 三维数值模拟两种方法分别研究了低能质子以及 α 粒子引 起的小尺寸器件发生单粒子效应的能量淀积和电荷收集的过程，计算得到不同入 射能量的质子和 α 粒子能量淀积的两种分布类型，发现不同能量的质子入射时漏 斗区对 PN 结电荷收集的贡献相对固定（0.4 fC），收集电荷量主要取决于空间电荷 区内的线性能量传输（LET）。 （2） 提出单个晶体管单粒子瞬变（SET）电流脉冲的两个峰主要成分分别是漂 移电流和双极放大电流。对比研究单个 NMOS 晶体管和反相器链中的 SET 电流脉 冲，提出 130 nm 工艺下双极放大电流在单管的 SET 电流脉冲中占主要成份，而在 反相器链的 SET 模拟中不明显，由此总结出双极放大效应主要受源/体结偏压影响 的重要结论。在此基础上首次分析了 NMOS 管中源极的正向电流及其机理，发现 台阶区的源极正向电流主要是由扩散作用形成的。 （3） 探索了双极放大效应随工艺缩减的变化趋势和温度敏感性。对比分析了 130 nm 和 90 nm 两种工艺下单个 NMOS/PMOS 管与相应的二极管之间的 SET 电 流脉冲波形和收集电荷的区别，定量研究了 SET 电流波形中漏斗辅助的漂移、双 极放大以及扩散等成分对总的电荷收集的贡献，发现 130 nm 和 90 nm 工艺下最终 双极放大效应对总收集电荷的贡献都为 30%左右。第一次定量地研究了温度对单 粒子瞬变电流中双极放大所占比例的影响，证实了双极放大随温度升高而愈发严 重的结论，从另一个角度说明双极放大对单管电荷收集的重要影响。 （4） 量化了 65 nm 工艺下电荷共享效应对 SRAM 单元电荷收集的重要影响。发 现不同角度主导电荷收集的因素不同：大角度入射时电子空穴对相对集中，电荷 第 i 页 第 第 PAGE iv 页 的分流扩散作用占主导，而小角度入射时，粒子入射在硅材料中的有效轨迹长度 占主导。此外，还研究了 SRAM 单元中多节点电荷收集对 SEU 的贡献，提出并通 过 3D TCAD 数值模拟证明 SRAM 单元中非敏感节点的电荷收集对单粒子翻转有 缓解作用。 关键词：电荷收集 双极放大效应 纳米工艺 单粒子效应 低能质子 TCAD 模拟 国防科 国防科学技术大学研究生院博士学位论文 国防 国防科学技术大学研究生院博士学位论文 Abstract In recent years, the rapid development of space industry brings out a higher request on the radiation hardened high performance IC. SEE induced by radiation is one of the key issues that determine the reliability of electronic components used in space applications. With the coming nano-scale technologies, the SEE sensitivity in IC is increasing sharply. As we know, when the charge collected is more than the critical charge of devices, SEE will happen. In this case, more and more researches focus on the mechanism of charge collect