第二章 热平衡时的能带和载子浓度 2.pptVIP

2.3 基本晶體成長技術 柴可斯基拉晶儀 2.4 價鍵(valence bonds) 共用電子的結構稱為共價鍵 (covalent bonding)，兩原子（相同元素，如矽，或相似電子外層結構的不同元素，如GaAs）的原子核對共用電子的吸引力使的兩個原子結合在一起。 由鍵結理論解釋電子電洞的生成 低溫時：電子束縛於四面體晶格中，無法傳導。 高溫時，熱振動打斷共價鍵，形成導電電子，原來之電子空缺（稱為電洞）可由鄰近原子填滿，好似電洞在移動。 2.3 能帶(energy band) 氫原子模型—1913年波爾提出 主要假設：電子繞氫原子核做圓周運動，其角動量量子化(L=n?) 結果算出單一個氫原子的電子能量為 其中 m0為自由電子質量、q為電子電荷、 ε0為自由空間的介電係數，n為正整數，稱為主量子數。 重要概念：能量不是連續的，而是分立的 能階 多個氫原子的電子能量 兩個氫原子靠近到有交互作用時，原來n=1的能階變成兩條（很靠近） 同理，很多氫原子集合在一起，原來的能階分裂成很多條，看起來就變成能帶 半導體能階/能帶模型 單一個矽原子：十個電子在內層軌道，兩個在3s軌道（全滿），兩個在3p軌道。 N個矽原子靠在一起，3s及3p軌道產生交互作用及重疊，平衡時分裂為兩個能帶，形成矽晶體 導電帶 價電帶 能隙 形成允許能帶和禁制能帶 2.5.2 E-p 圖 – 另一種分析，可看