各种场效应管的理和特性曲线讲解.ppt

gmvgs rds g d s ic vgs - vds + + - rds为场效应管输出电阻： 由于场效应管IG?0，所以输入电阻rgs ??。 而三极管发射结正偏，故输入电阻rbe较小。 与三极管输出电阻表达式 相似。 rbe rce b c e ib ic + - - + vbe vce βib MOS管简化小信号电路模型(与三极管对照) 返回 gm的含义 FET跨导 得 通常MOS管的跨导比三极管的跨导要小一个数量级以上，即MOS管放大能力比三极管弱。 (MOSFET管） (JFET） 返回 3.5 场效应管电路的分析方法 场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似，可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。 场效应管估算法分析思路与三极管相同，只是由于两种管子工作原理不同，从而使外部工作条件有明显差异。因此用估算法分析场效应管电路时，一定要注意自身特点。 估算法 MOS管截止模式判断方法 假定MOS管工作在放大模式： 放大模式 非饱和模式（需重新计算Q点） N沟道管：VGS VGS(th) P沟道管：VGS VGS(th) 截止条件 非饱和与饱和（放大）模式判断方法 a)由直流通路写出管外电路VGS与ID之间关系式。 c)联立解上述方程，选