2019版高考物理（江苏专用）大一轮复习：冲刺985电磁场压轴题专练word版含解析.docxVIP

冲刺985——电磁场压轴题专练(时间：40分钟)1.(2017·江苏省南京市、淮安市高三第三次模拟考试)如图1所示，半径为r的圆形匀强磁场区域Ⅰ与x轴相切于坐标系的原点O，磁感应强度为B1，方向垂直于纸面向外。磁场区域Ⅰ右侧有一长方体加速管，加速管底面宽度为2r，轴线与x轴平行且过磁场区域Ⅰ的圆心，左侧的电势比右侧高U。在加速管出口下侧距离2r处放置一宽度为2r的荧光屏。加速管右侧存在方向垂直于纸面向外的匀强磁场区域Ⅱ。在O点处有一个粒子源，能沿纸面向y0的各个方向均匀地发射大量质量为m、带电荷量为q且速率相同的粒子，其中沿y轴正方向射入磁场的粒子，恰能沿轴线进入长方形加速管并打在荧光屏的中心位置。(不计粒子重力及其相互作用)图1(1)求粒子刚进入加速管时的速度大小；(2)求磁场区域Ⅱ的磁感应强度大小B2；(3)若进入加速管的粒子数目为N，则磁场Ⅱ的磁感应强度B2减小10%时，有多少离子能打在荧光屏上？解析　(1)沿y轴正方向射入磁场的粒子，恰能沿轴线进入长方形加速管并打在荧光屏的中心位置，则磁场区域Ⅰ内粒子运动轨迹半径为r，则由牛顿第二定律有qvB1＝m解得进入加速管粒子的速度v＝(2)从粒子源均匀发射的所有粒子，经磁场区域I后，其速度方向均与x轴平行，如图所示，因为粒子运动的圆轨迹和磁场的圆形边界的交点O、C以及两圆的圆心O1O2组成的是菱形，所以CO2和y轴平行，故v和x轴平行。所有进入磁场区域Ⅱ的粒子，其半径均为2r，则2r＝(其中v′为粒子经加速管后的速度大小)根据动能定理有qU＝mv′2－mv2联立解得B2＝或B2＝(3)磁场Ⅱ的磁感应强度B2减小10%时r′＝＝＝，则2r′－4r＝恰好击中荧光屏的下边缘的粒子的运动轨迹如图所示由几何关系cos θ＝与x轴正方向成θ＝arccos角发射的粒子恰好击中荧光屏的下边缘，所以打在屏上的粒子数为n＝ N答案　(1)　(2)(3) N2.(2017·江苏省南京市、淮安市高三第三次模拟考试)如图2是磁流体发电机原理示意图：前、后两个侧面是电阻可以忽略不计的导体板，相距为a；上、下两个侧面是绝缘体，相距为b；它们构成一个长度为l的长方体管道。前、后两个侧面用一个电阻R0相连。磁感应强度大小为B的匀强磁场垂直于绝缘侧面向上。现有大量等离子气体(由正、负带电粒子组成)持续稳定地流经管道。设横截面上各点流速相同，等离子气体所受阻力与流速成正比，且无论有无磁场时都维持管道两端等离子气体的压强差为p。已知等离子气体电阻率恒为ρ；无磁场存在时，等离子气体的流速为v0。求：图2(1)此磁流体发电机的内阻r；(2)有磁场存在时，等离子气体所受的安培力与流速v的关系式；(3)此磁流体发电机电动势的大小E。解析　(1)由电阻定律可得r＝(2)当气体稳定时qvB＝q，所以电动势为E＝Bva由闭合电路欧姆定律I＝管内气体所受安培力F＝BIa代入上述数据得F＝另解：p·ab＝kv0，p·ab＝kv＋F解得安培力F＝p·ab(3)稳定平衡时：p·ab＝f＋F阻力f＝kv(k为常数)，则f＝kv＝p·ab－F无磁场时，阻力f0＝kv0稳定平衡时p·ab＝f0所以有f0＝kv0＝p·ab可得＝所以E＝另解1：从能量观点看，无磁场时，外界压力的功率等于克服摩擦力的功率，即p·ab·v0＝kv0·v0有磁场时，外界压力的功率等于克服摩擦力的功率加上回路电功率p·ab·v＝kv·v＋当气体稳定时，又有qvB＝q，即v＝代入上式得＝＋同样可求得E＝另解2：p·ab＝kv＋①p·ab＝kv0②E＝Bav③由①②③可得E＝答案　(1)　(2)F＝或F＝p·ab(3)3.(2015·江苏单科)一台质谱仪的工作原理如图3所示，电荷量均为＋q、质量不同的离子飘入电压为U0的加速电场，其初速度几乎为零。这些离子经加速后通过狭缝O沿着与磁场垂直的方向进入磁感应强度为B的匀强磁场，最后打在底片上。已知放置底片的区域MN＝L，且OM＝L。某次测量发现MN中左侧区域MQ损坏，检测不到离子，但右侧区域QN仍能正常检测到离子。在适当调节加速电压后，原本打在MQ的离子即可在QN检测到。图3(1)求原本打在MN中点P的离子质量m；(2)为使原本打在P的离子能打在QN区域，求加速电压U的调节范围；(3)为了在QN区域将原本打在MQ区域的所有离子检测完整，求需要调节U的最少次数。(取lg 2＝0.301，lg 3＝0.477，lg 5＝0.699)解析　(1)离子在电场中加速：qU0＝mv2在磁场中做匀速圆周运动：qvB＝m解得r＝打在MN中点P的离子半径为r＝L，代入解得m＝(2)由(1)知，U＝离子打在Q点时，r＝L，得U＝离子打在N点时r＝L，得U＝，则电压的范围≤U≤(3)由(1)可知，r∝由题意知，第1次调节电压到U1，使原本Q点的离子打在