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离子注入法介绍;■ 概述 ■ 离子注入工艺设备及其原理 ■ 射程与入射离子的分布 ■ 实际的入射离子分布问题 ■ 注入损伤与退火 ■ 离子注入工艺的优势与限制;■ 离子注入工艺是IC制造中占主导的掺杂技术 ■ 离子注入：将杂质离化，通过电场加速，将这些离化 的杂质直接打入硅片中，达到掺杂的目的 ■ 一般CMOS工艺流程需6～12次离子注入 ■ 典型的离子注入工艺参数：能量约5～200keV， 剂量约1011～1016/cm2。;（二）MOSFET工艺中的离子注入;(1) 离子源——杂质离子的产生 (2) 加速管——杂质离子的加速 (3) 终端台——离子的控制;■ 气态源： (或固体源) BF3 AsH3 PH3 SiH4 H2 ■ 放电室：低气压、分解离化气体 BF3 ? B，B+，BF2+，F+， …… ■ 引出狭缝：负电位，吸引出离子;■ 出口狭缝：只允许一种(m/q)的离子离开分析仪;■ 静电透镜：离子束聚焦 ■ 静电加速器：调节离子能量 ■ 静电偏转系统：滤除中性粒子 ; ? 静电光栅扫描：适于中低束流机 ? 机械扫描：适于强束流机 ■ 剂量控制 ? 法拉第杯：捕获进入的电荷， 测量离子流 ? 注入剂量：;■ 杂质离子种类：P+，As+，B+，BF2+，P++，B++，… ■ 注入能量(单位：Kev) —— 决定杂质分布深度和形状 ■ 注入剂量(单位：原子数/cm2) —— 决定杂质浓度 ■ 束流(单位：mA或uA) —— 决定扫描时间 ■ 注入扫描时间(单位：秒) —— 决定注入机产能 ;（6）杂质剂量与杂质浓度的关系;■ 高能离子进入靶材料后，与靶原子核及其电子碰撞，损失 能量，发生散射，最后停止下来。 ■ 离子在靶中的行进路线及其停止位置是随机的。 ■ 射程R：离子在靶中行 进的总距离 ■ 垂直投影射程Rp：离 子射程在靶深度轴上 的投影距离 ■ 垂直投影射程偏差△Rp： Rp的标准偏差;■ 核碰撞：入射离子与靶原子核碰撞，因二者质量为同一数 量级，因此一次碰撞可使离子损失较多能量(Sn)， 且可能发生大角度散射。有时还引发连续碰撞。;图5.8 常见杂质的Sn和Se与注入能量的关系;（1）离子投影射程;■ 离子浓度沿硅片深度的积分就是注入剂量：;写出杂质浓度分布公式： ;（3）假设衬底为反型杂质，且浓度为NB，计算PN结结深;（4）根据分布公式，计算不同深度位置的杂质浓度;5、实际杂质分布偏差描述的改善;不同能量硼离子注入的分布及其与标准高斯分布的差异;■ 沟道效应 ■ 横向分布 ■ 复合靶注入;有部分离子可能会行进很长距离，造成较深的杂质分布。;■ 临界角 ;（1）偏轴注入：一般选取5?～7?倾角，入射能量越小，所需 倾角越大 （2）衬底非晶化预处理：进行一次高剂量Ar+注入，使硅表面 非晶化 （3）非晶层散射：表面生长200～250?二氧化硅(Screen Oxide) ， 使入射离子进入硅晶体前方向无序化 （4）注入杂质的自非晶化效应：重杂质(As)，高剂量注入