多晶硅的生产工图及车间工艺培训.doc

还原氢化工序工艺讲义 第一节 工序划分及主要设备 一、三氯氢硅还原的工序划分 单元号 工序名称 T1100/T1101 三氯氢硅(TCS)蒸发 T1200/T1201 四氯化硅(STC)蒸发 T100/T101 还原 T200/T201 氢化 T300 硅芯拉制 T400 硅芯腐蚀 T500 破碎、分级 T600 超纯水制取 T700 实验室(分析检测中心) T800/801 钟罩清洗 T900 冷却水循环系统 T1000 HF洗涤 二、主要原辅材料及质量要求 物质 纯度 料 三氯氢硅 TCS≥99%（B≤0.1ppb;P≤0.1ppb） 四氯化硅 STC≥98% 氢气 H2≥99.999% 硅芯 Si≥99.999%；电阻率≥50Ω·cm(暂定)；Φ5 ；长2m 石墨电极 高纯 硝酸 分析纯 氢氟酸 优纯级或分析纯 洗涤剂 氢氧化钠 分析纯或化学纯 酸洗剂 氨基磺酸 化学纯 超纯水 电阻率＞18M·Ω 第二节 三氯氢硅氢还原工艺 一、还原工艺描述 图1 三氯氢硅氢还原工艺流程简图 经提纯的三氯氢硅原料，按还原工艺条件的要求，经管道连续加入蒸发器中。向蒸发器夹套通入蒸汽使三氯氢硅鼓泡蒸发并达到10bar，三氯氢硅的汽体和一路一定压力的高纯氢气（包括干法分离工序返回的循环氢气）在混合器AM100中以1：3的比例混合，经三层套管换热器加热后经进气管喷头喷入还原炉内。另一路（侧路氢）用于还原炉视镜冷却。 在1080℃~1100℃的反应温度下，在还原炉内通电的炽热硅芯硅棒的表面，三氯氢硅发生氢还原反应，生成硅沉积下来，使硅芯硅棒的直径逐渐变大。经过约150小时反应沉积过程，制得直径为120～150mm，长2000mm的多晶硅棒，即为高纯多晶硅产品。 还原炉炉筒夹套通入热水，以移除炉内炽热硅芯向炉筒内壁辐射的热量，维持炉筒内壁的温度。还原炉内的石墨电极用去离子冷却水冷却，进水口取样测量去离子水的电导率及纯度，以防对还原炉电极造成损害。 炉内的反应压力为6bar，化学反应方程式为： （主反应） 转化率仅为10%~15% 同时还发生一系列副反应，例如SiHCl3和HCl反应产四氯化硅和氢气： （副反应） 转化率为30%~35% （副反应） 以及杂质的还原反应： 及 氢还原反应同时生成二氯二氢硅、四氯化硅、氯化氢和氢气，与未反应的三氯氢硅和氢气一起送出还原炉，出口设置取样点检测尾气各成分含量，了解还原炉的工作是否正常，尾气经循环冷却水冷却后，直接送往还原尾气干法分离工序。 二、还原炉尾气组成 还原炉尾气温度200℃，压力为6barTCS ≈50% STC ≈40% H2 5~7% DCS 2~3% HCl 0~1% 第三节 三氯氢硅氢还原的影响因素 一、氢还原反应及沉积温度 三氯氢硅氢还原反应都是吸热反应，因此升高温度使平衡向吸热一方移动，有利于硅的沉积，也会使硅的结晶性能好，而且表面具有光亮的灰色金属光泽。但实际上反应温度不能太高，因为： （一）硅和其它半导体材料一样，自气相往固态载体上沉积时，都有一个最高温度，当反应超过这个温度，随着温度的升高，沉积速度反而下降。 （二）温度太高，沉积的硅化学活性增强，受到设备材质沾污的可能性增强。 （三）对硅极为有害的杂质B、P化合物，随着温度增高，其还原量也加大，这将使硅的沾污增加。 （四）过高的温度，会发生硅的逆腐蚀反应。 因此，在生产中采用1080℃~1100℃左右进行三氯氢硅氢还原反应。 二、反应混合气配比 所谓反应混合气配比是指还原剂氢气和原料三氯氢硅的摩尔比。 在三氯氢硅氢还原过程中，用化学当量计算的配比的氢气进行还原时，产品呈非晶体型褐色粉末状析出，而且实收率很低。这是由于氢气不足，发生其它副反应的结果。因此，氢气必须比化学当量值过量，有利于提高实收率，而且产品结晶质量也较好。 但是， H2和SiHCl3的摩尔配比也不能太大，因为： （一）配比太大，H2得不到充分利用，造成浪费。同时，氢气量太大，会稀释SiHCl3的浓度，减少SiHCl3和硅棒表面碰撞的几率，降低硅得沉积速度，降低硅得产量。 （二）从BCl3、PCl3氢还原反应可以看出，过高得H2浓度不利于抑制B、P得析出，影响产品质量。 因此，选择合适得配比，使之即有利于提高硅得转化率，又有利于抑制B、P的析出。 三、反应气体流量 在保证达到一定沉积速率的条件下，流量越大，炉产量越高。流量大小与还原炉结构和大小，特别是与载体表面积大小有关。 增大气体流量后，使炉内气体揣动程度随之增加。这将有效地消除灼热载体表面的气体边界层，其结果将增加还原反应速度，使硅的实收率得到提高，但反应气体流量不能增的太大，否则造成反应气体在炉内停留时间太短，转化率相