第7章存储器、复杂可编程逻辑器和现场可编程门阵列9.pptVIP

作业：P283-284 7.1.1 7.1.5 7.2.5 写入数据： 当Xi ＝ Yj ＝1时， T1、 T3、 T4、 T5均导通，此时可以对存储单元进行存取操作。 若DI＝0，电容充电； 若DI＝1，电容放电。 当Xi ＝ Yj ＝0时，写入的数据由C保存。 R/W=0, G1导通，G2截止 输入数据DI经G3反相，被存入电容C中。 读出数据： 当Xi ＝ Yj ＝1时， T1、 T3、 T4、 T5均导通，此时可以对存储单元进行存取操作。 读位线信号分两路，一路经T5 由DO 输出 ； 另一路经G2、G3、T1对存储单元刷新。 R/W=1, G2导通， G1截止， 若C上充有电荷，T2导通，读位线输出数据0；反之， T2截止，输出数据1。 刷新数据： 若读位线为低电平，经过G3反相后为高电平，对电容C充电； 若读位线为高电平，经过G3反相后为低电平，电容C放电； 当 R/W=1, 且Xi=1时， C上的数据经T2 、T3到达“读”位线，然后经写入刷新控制电路对存储单元刷新。 此时,Xi有效，整个一行存储单元被刷新。由于列选择线Yj无效，因此数据不被读出。 单管动态RAM存储单元电路如图： 当T导通时，电容CS上的信息被传送到位线上，或者位线上的数据写入CS中。 读出时，由于CW的存在，且C