宽禁带半导体研进展，综述正文.docVIP

北京工业大学 研究生课程考试答题纸 考试课程：半导体物理 课程类别： 学位课 选修课 研究生学号：S201309046 研究生姓名：马栋 学生类别：博士 硕士 工程硕士 进修生 考试时间： 2013年 11 月15 日  宽禁带半导体研究进展 马栋 （北京工业大学，材料科学与工程学院） 摘要：宽禁带半导体作为第三代半导体材料，是开发高频率、大功率、耐高温、抗辐射半导体器件的理想材料。本文首先简要的介绍了种常用的宽禁带半导体材料，及其最新的研究进展，其次又介绍了种常用的制备的宽禁带半导体的方法，最后对宽禁带半导体的应用做了展望。 关键词：宽禁带；半导体；方法；应用；展望 1 引言 半导体材料种类繁多，分类方法各不相同，一般将以硅、锗等为代表的元素半导体材料称为第一代半导体材料；以砷化镓、磷化铟、磷化镓等为代表的化合物半导体材料称为第二代半导体材料；以碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化锌、金刚石为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料[1]。高效率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体激光器的研制成功标志着第三代半导体的兴起[2]。 一般将禁带宽度大于2.2 eV的半导体称为宽禁带半导体，以GaN为代表的宽禁带半导体材料系直接