模拟电子技术第1章课件.pptVIP

第一章 半导体器件基础;1.1 半导体的基本知识; 本征半导体的共价键结构; 这一现象称为本征激发，也称热激发。; 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。;自由电子 带负电荷 电子流;二. 杂质半导体;N型半导体; 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。;杂质半导体的示意图;内电场E;少子飘移;2. PN结的单向导电性;(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 ; PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;3. PN结的伏安特性曲线及表达式; 根据理论分析：;4. PN结的电容效应;(2) 扩散电容CD;1.2 半导体二极管; 二极管按结构分三大类：;(3) 平面型二极管;半导体二极管的型号; 一 、半导体二极管的V—A特性曲线;二. 二极管的模型及近似分析计算;二极管的模型;二极管的近似分析计算;例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo;（2）如果