常用的半导体器件有二极管三极管场效应晶体管等.PPT

* * 【总结】当导电沟道没有预夹断时，ＩD随UDS增大而增大；当沟道出现预夹断后，ID不再受UDS影响而几乎保持不变，此时漏极电流由栅源电压控制。UGS愈负，耗尽层愈宽，导电沟道愈窄，沟道电阻愈大，在一定UDS作用下所产生漏极电流ID愈小，这样就实现了UGS对ID的控制。 N沟道结型管工作原理图 * * 3．特性曲线 （1）输出特性 场效应管输出特性是指：在栅源电压一定时，漏极电流ID与漏源电压UDS之间的关系曲线，即 ID=?（UDS）｜ＵGS＝常数 * * 输出特性分为三个区——可变电阻区、恒流区(放大区)和夹断区。 N沟道结型管转移特性 N沟道结型管输出特性 * * 1）可变电阻区：UDS较小时，靠近纵轴部分称为可变电阻区。它表示管子在预夹断前电压与电流关系。该区域中ID几乎正比UDS，并且随UGS负值增加，输出特性曲线斜率减小，电阻增大。场效应管在这一区域工作时，可以看成一个由电压UGS控制的可变电阻。 2）恒流区(放大区)：漏极特性曲线近似水平部分叫恒流区。它表示管子预夹断后电压与电流关系。漏极电流ID几乎不随UDS变化，输出特性曲线趋于水平。该区域中ID大小仅受UGS控制，UGS愈负，则ID愈小。场效应管在这一区域工作，可以看成一个受电压UGS控制的电流源。场效应管作为放大器件使用，是工作在这个区域，所以又叫做放大区。 * * 3）夹断区：当｜UGS｜≥｜UGS(off)｜时，所对应输出特性曲线靠近横轴部分叫夹断区。此时，N沟道完全被夹断，ID=0，场效应管为截止状态。 (2)转移特性 场效应管转移特性是指：在漏源电压UDS一定时，漏极电流ID与栅源电压UGS之间关系，即 ID=?（UGS）｜UDS=常数 ID可以近似表示为 UGS(off)≤UGS≤0 * * 1.4.2 绝缘栅型场效应管 1．绝缘栅型场效应管的结构 无论是N沟道MOS管还是P沟道MOS管，都只有一种载流子导电，均为单极型电压控制器件。 * * 【特点】 (1)单极性器件(一种载流子导电) (2)输入电阻高 (107 ? 1015 ?，IGFET 可高达 1015 ?) (3)工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低 * * 2．绝缘栅型场效应管的工作原理与特性曲线 耗尽型：UGS=0时漏、源极之间已经存在原始导电沟道。 增强型：UGS=0时漏、源极之间不存在原始导电沟道，加电才能形成导电沟道。 * * （1）N沟道耗尽型场效应管的特性曲线 耗尽型场效应管存在原始导电沟道 * * UGS=0时漏、源极之间就可以导电。这时在外加电压UDS作用下的漏极电流称为漏极饱和电流IDSS。 UGS0时沟道内感应出的负电荷增多，沟道加宽，沟道电阻减小，ID增大。 UGS0时会在沟道内产生出正电荷与原始负电荷复合，沟道变窄，沟道电阻增大， ID减小。 UGS达到一定负值时，沟道内载流子全部复合耗尽，沟道被夹断，ID=0，这时的UGS称为夹断电压UGS(off)。 * * （2）N沟道增强型场效应管的特性曲线 * * 增强型场效应管不存在原始导电沟道 （1）UGS=0时场效应管不能导通，ID=0 。 （2）UGS0时会产生垂直于衬底表面的电场。UGS增加，负电荷数量增多，形成导电沟道，漏、源极之间有ID出现。在一定的漏、源电压UDS下，使管子由不导通转为导通的临界栅、源电压称为开启电压UGS(th)。 （3）UGS UGS(th)时，ID=0； （4）UGS UGS(th)时，随UGS的增加ID增大。 * * 综上所述，场效应管的漏极电流ID受栅、源电压UGS的控制，即ID随UGS的变化而变化，所以场效应管是一种电压控制器件。场效应管栅、源电压UGS对漏极ID控制作用的大小用跨导gm表示。 按场效应管的工作情况可将漏极特性曲线分为两个区域。在虚线左边的区域内称为可变电阻区，输出电阻ro较小，且可改变。在虚线右边的区域内称为放大区，输出电阻ro很大，在栅、源电压UGS增大时，漏极电流ID随UGS线性增大　 * * 1.4.3 绝缘栅型场效应管的主要参数 场效应管的主要参数除输入电阻RGS、漏极饱和电流IDSS、夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)外，还有以下重要参数： 1．跨导gm：反映了uGS 对 iD 的控制能力 * * 2．通态电阻。在确定的栅、源电压UGS下，场效应管进入饱和导通时，漏极和源极之间的电阻称为通态电阻。通态电阻的大小决定了管子的开通损耗。 3．最大漏、源击穿电压UDS(BR)。指漏极与源极之间的反向击穿电压。 4．漏极最大耗散功率PDM：受温度限制。 * * 【场效应管使用注意事项】 1．绝缘栅场效应管的输入电阻很