电磁场与电磁波础(第3章).pptVIP

作业 3.1 3.4 3.7 3.9 3.18 2.12 在柱形闭合面上应用高斯定律： 则 此式即为 的法向边界条件，它表明： 的法向分量在分界面处产生了突变 （2） 的边界条件 如图，应用高斯定律得： 当 时， 的法向分量变为连续 （2） 的边界条件 如图，应用高斯定律得： n h 即 此式即为 的法向边界条件，它表明： 的法向分量在分界面处总是连续的。 （3） 的边界条件 如图，由电流连续性原理 可得 说明：当分界面处电荷面密度发生变化时，其电流密度的法向分量产生突变，突变量为电荷面密度的变化率。 （4） 的边界条件 如图，电场强度的边界条件通常用电场的切向分量来表示。 可得 说明：电场强度的切向分量是连续的。 由麦克斯韦第二个方程： （5） 的边界条件 可得 说明：当分界面处存在传导电流时，磁场强度的切向方向将发生突变；当分界面处不存在传导电流时，磁场强度的切向方向是连续的。 如图，由安培环路定律 综上所述，五个场量 的边界条件是： 在研究电磁场问题时，下述分界面的讨论经常出现： （1）两种无损耗线性介质的分界面，也就是两种理想介质的分界面 这时有 这说明：理想介质中不可能有传导电流。 2、几种特殊介质的边界条件 理想介质属无损耗介质，其电