0.13um-shrink工艺的嵌入式闪存的耐久性特性研究_V2.0 修改 冯鹏 0918.docx

摘要 0.13um-shrink工艺的嵌入式闪存的耐久性特性研究 摘 要 耐久性特性是存储类芯片最为重要的可靠性课题之一。0.13um-shrink闪存器件因为其特殊的结构和工作模式，导致了特有的器件特性，同时还引入了其他的可靠性问题。 本文综合了直流电压应力和 UV 方式，研究了三栅分栅闪存器件耐久性退化机 理，实验验证了多晶到多晶的 F-N电子隧穿擦除操作引起的隧穿氧化物束缚电子是导致三栅分栅闪存器件退化的重要原因。基于器件耐久性退化机理，讲述了三栅分栅 闪存特殊的结构和操作方式。 在耐久性优化方面，本论文重点从器件操作条件对三栅分栅闪存器件的耐久