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功能电器件的尺度范围分界 微电子晶体管和单电子晶体管 纳米电子器件的发展途径构想 量子电器件的主要特征 1)电子的平均自由程和器件的物理长度 纳米单电子晶体管实例 纳米尺度的单电子存储器 纳米尺度的单电子存储器 碳纳米管是由多个碳原子六方点阵的同轴圆柱面套构而成的空心小管，其中石墨层可以因卷曲方式不同而具有手性。碳纳米管的直径一般为几纳米至几十纳米，长度为几至几十微米。 碳纳米管可以因直径或手性的不同而呈现很好的金属导电性或半导体性。 碳纳米管器件——PN结 P+N结 P+N＋结 碳纳米管中心岛的单电子晶体管基型 横向碳纳米管晶体管 碳纳米管器件——FET晶体管 碳纳米管器件——FET晶体管 2001年7月6日出版的美国《科学》报道，荷兰研究人员制造出的这种晶体管是首个能在室温下有效工作的单电子纳米碳管晶体管。，它只允许单独的电子在一定电压下通过。此晶体管只有1纳米宽、20纳米长，整体不足人的头发丝直径的500分之一。 碳纳米管器件——RAM 当悬在上面的碳纳米管与下面的碳纳米管分开时，结点的电阻非常高，即OFF态； 而当悬在上面的碳纳米管与下面的碳纳米管在结点接触时，结点的电阻会减小几个数量级，即ON态。 通过瞬间地对碳纳米管充电，使两个碳纳米管之间产生静电吸引或排斥力，从而使这个结点双稳态器件开关于ON态和OFF态之间。 在集成系统中，电极仅与上下两套碳纳米管的一端相连。因此，阵列中的每一个结点都可以用地址(n,m)标志出来，可以通过测量结点的电阻来读出结点处于的状态，并且可以通过对(n,m)两个相应的电极施以电压脉冲来控制结点(n,m)的开关。 这提供了一种制造高集成度的快速的可寻址的非挥发性RAM的方法。 悬挂的十字交叉单壁碳纳米管阵列 IBM公司的碳纳米管分子逻辑电路 纳米芯片 Intel公司2000年12月公布，他们用最新纳米技术研制成功30nm硅晶体管芯片。新芯片运算速度达10GHz，是目前运算速度最快的Pentium4芯片运算速度2.4GHz的4倍。 Intel公司2001年又宣布又研制成功20 nm硅晶体管芯片，其中门的绝缘体只有0.8nm厚(约三个原子的厚度)，每秒开关变换次数极高。基于这种20 nm硅晶体管，可以制造含10亿个晶体管的硅晶体管芯片和计算机微处理器，其运行速度可高达20GHz，比2000年研制成功30 nm硅晶体管芯片，性能又提高很多。 Intel公司的一位工程师说，这种超小型新硅晶体管的研制成功，“使我们对硅的物理极限有了新的看法，硅也许还可以使用15年，今后用什么材料代替硅，那是谁也说不准的事。 总之： 从微电子技术到纳电子技术将是信息技术发展的第二次变革，与从真空管到晶体管的第一次变革相比，它含有更深刻的理论意义和丰富的科技内容。 我们很幸运，身处这个变革之中。我想，我们当然要享受这个变革带来的巨大财富，更要投身其中，为这个变革创造更巨大的财富！ 纳米材料在电子领域的应用研究 刘阳 南昌大学 2014年5月29日 纳米电子 微电子技术今后发展将受到的限制 量子电子器件 纳米电子器件的发展 单电子晶体管 ,单电子存储器 ,逻辑电路 分子电子学和分子电器件 纳米电器件的集成和量子计算机 微电子技术过去30年的发展 不同年代的芯片集成度和价格