电力电子半导体器件GTO介绍.ppt

２．供电方式及电路参数对门极控制的影响 ①供电方式的影响： 单电源供电方式 双电源供电方式 脉冲变压器方式 单电源供电方式和双电源供电方式用于300A以下GTO的控制。 脉冲变压器方式用于300A以上GTO控制。 双电源方式比单电源方式可关断阳极电流要大； 门极负电源增加，可关断阳极电流也增加。 ②电路参数的影响： a.串并联电阻和电容的影响 GTO门极回路中串联电阻，将阻碍门极电流的抽出。若电阻过大且门极电压不高，会使门极电流过小，导致阳极电流的关断能力下降，甚至会出现关不断的现象。一般，大功率GTO应用中该电阻只是毫欧数量级，有时根本不串电阻并尽量缩短门极引线长度，以便减小门极电阻和不必要的引线电感。 门极回路中并联电阻或电容，相当于外加短路发射极，可以提高GTO的dv/dt耐量，增加热稳定性。并联电阻越小，电容越大，阳极电压的温度范围越宽，热稳定性越好。 b.串联电感的影响 门极串联微亨级小电感，可以限制门极电流上升率，提高关断能力。由于电感的作用，在门极电流下降时，延长其作用时间，等效加宽关断信号宽度。另外，电感产生的反向电压可使门极处于短时间的雪崩状态，有利于载流子从门极抽出，使可关断阳极电流增加。 串入电感，使GTO的存储时间，下降时间和雪崩时间均加长，关断增益提高，尾部电流的起始值IT1减小。 c. 门极反偏电压的影响 如上图，门极反偏电压越高，可关断阳极电流越大；阳极dv/dt耐量越大，有利于GTO安全运行。 四、门极驱动型式： 1．直接驱动：门极驱动电路直接和GTO门极相连。 优点：输出电流脉冲的前沿陡度好，门极脉冲波形干净，易于消除寄生振荡和排除寄生振荡产生的门极瞬时过电流或过电压。 缺点：由于直接驱动，驱动电路中的半导体开关器件必须直接承担GTO的门极电流，故开关器件的电流比较大，由于门—阴极间内阻小，尤其动态内阻更小，用晶体管驱动时，晶体管很难饱和，因此，功耗大、效率低。 为了安全，驱动电路电源必须和控制系统电源隔离。 2．间接驱动：间接驱动是驱动电路通过脉冲输出变压器与 GTO门极相连接。 优点：GTO主电路与门极控制电路之间有变压器做电隔离， 对控制系统来说较为安全。利用变压器可进行合理 的阻抗配合，使驱动电路的脉冲功率放大器件电流 可以大幅度减小。 缺点：输出变压器的漏感使输出电流脉冲前沿徒度受到限 制，输出变压器带来的寄生电感和电容易产生高频 寄生振荡，致使门极脉冲前后沿出现电压和电流寄 生振荡，有可能出现门极瞬时过电压或过电流，而 且造成GTO不能干净利落地开通和关断。 五、门极控制电路实例： 直接驱动开通和关断的门极电路 * 第六章 可关断晶闸管（GTO） 特点：是SCR的一种派生器件；具有SCR的全部优点，耐压高、电流大、耐浪涌能力强，造价便宜；为全控型器件，工作频率高，控制功率小，线路简单，使用方便。 §6.1 GTO结构及工作原理 Gate Turn-off Thyristor——GTO 一、结构：四层PNPN结构，三端器件； 特点： ① α1 α2 P1N1P2管不灵敏，N1P2N2管灵敏。 ②α1 +α2略大于1；器件工作于临界饱和状态，使关断成为可能。 ③多元集成结构，由数百个小GTO元并联形成。 由于GTO的多元结构，开通和关断过程与SCR不同，同时GTO元的特性又不同于整个GTO器件的特性，多元集成使GTO的开关过程产生了一系列新的问题。 二、GTO开通原理： 与SCR一样，由正反馈控制过程来实现。 其中： 开通条件：α1 +α2 1 定义：α1 +α2 = 1时，对应的阳极电流为临界导通电流。 ——擎住电流 由于α1 、α2 随射极电流增大而上升，当阳极电流未达到擎住电流时， α1 +α2 1，此时去掉门极电流IG，阳极电流也会消失，管子不能维持导通。 注意： ①GTO多元集成结构，各GTO元特性存在差异，开通过程中个别GTO元的损坏，将引起整个GTO损坏。要求GTO制作工艺严格，GTO元特性一致性好。 ②dv/dt、Tj、光照等因素会引起GTO误触发，应用中加以防止。 ③驱动电路正向门极触发电流脉冲上升沿越陡，GTO元阳极电流滞后时间越短，可加速GTO元阳极导电面积扩展，缩短开通时间。