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P22 (1-*) 死区电压是它的开启电压Uon，也就是说，在这个电压以下时，即使是正向的，它也不导通。 u i 导通压降: 硅管0.7V, 锗管0.2V。 反向击穿电压U(BR) 死区电压： 硅管0.5V, 锗管0.1V。 1.2.2 二极管的伏安特性 正向导通压降是在管子正向导通的时候，二极管两端的电压，也就是它引起的压降，此时正向电流变化时结压降基本不变。 对比PN结：正向情况(考虑体电阻、引线电阻)、反向情况(考虑表面漏电流) 制造PN结若在表面上沾上水汽或金属离子，引起离子导电(电流从N区电极沿半导体表面直接到P区电极)，往往成为反向电流的主要部分。 (1-*) 实验发现：在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移（正向导通压降及开启电压减小），反向特性将下移（反向电流增大）。 二极管的特性对温度很敏感。 室温附近，温度每升高1℃，正向导通压降减小2～2.5 m V；温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。 (1-*) 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压U(BR)和最高反向工作电压UR U(BR)是二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 手册上给的最高反向工作电压UR一般是U(BR)的一半。 1.2.3 二极管主要参数 (1-*) 3. 反向电流 IR 指二极管加反向工作电压未击穿时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。 (1-*) 4.最高工作频率fM——交流参数 是二极管工作的上限频率。超过此值时，由于二极管结电容的存在，二极管将改变特性（尤其是单向导通特性） 实际应用中，应根据管子所用的场合，按其所承受的最高反向电压、最大正向平均电流、工作频率、环境温度等条件，选择满足要求的二极管。 (1-*) 1.理想模型（大信号状态采用) 等效电路如下： 一、由伏安特性折线化得到的等效电路 1.2.4 二极管等效电路 由理想模型特性图可知，加正向偏压时，二极管压降为0。反向偏压时电阻为无穷大。相当于有一理想开关。常用于整流电路中 理想二极管 习题1.2 电路如图P1.2 所示，已知 (V)，试画出 与 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 硅二极管：死区电压=0 .5 V，正向压降?0.7 V 理想二极管：死区电压=0 V ，正向压降=0 V (1-*) 2.恒压降模型 正向导通时端电压为常量 等效电路如图 理想二极管串联电压源VD （导通压降0.7 V） 自测题三、写出图中所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7 V。 UO1=1.3 V UO2=0 V UO3=-1.3 V UO4=2 V UO5=1.3 V UO6=-2 V 二极管导通压降很低，因而会在它所在的回路中串联一个适当的电阻来起分压限流作用，防止二极管因正向电流过大而损坏。 加问：若V1分别为12 V、12.7 V、24 V时，开关闭合时又会如何？ 若V1为12 V且开关闭合，二极管仍不足以导通，UO仍为12 V； 若V1为24 V且开关闭合，类似短路，二极管、电池（电池内阻很小，一般为微欧、毫欧级）会因电流过大而烧毁。 若V1为12.7 V且开关闭合，二极管刚好导通，此时相当于2个电池并联， UO仍为12 V； (1-*) 3. 折线近似模型 等效电路如图： 特性等效电路：用斜折线代替实际二极管特性曲线，更趋于逼近。其中， rD为折线段电阻，Uon为二极管开启电压（即死区电压，通常为0.5 V ），正向电压大于Uon后与电流成线性关系。 正向导通时端电压与电流成线性关系 理想二极管串联电压源Uon和电阻rD (1-*) 作业 第一章自测题： 一（1）、一（2）、一（3）； 二（1） 第一章习题： 1.1（1）（2） 注意：以上作业的答案要给出理由说明！ 第一章习题：1.3 (1-*) 模拟电子技术 第一章 半导体器件 (1-*) 一. 导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物(如硫化镉)、氧化物(如氧化锌)等。 §1.1 半导体的基本知识 1.1.1 本征半导体 (1-*) 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：