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ZnO薄膜晶体管制备和特性研究 　　摘要： 通过原子层沉积法制作底栅型ZnO-TFT，并从衬底温度，氧化锌层厚度以及退火温度几个方面，分析对器件输出特性，转移特性和开关比的影响。 　　关键词： 氧化锌薄膜晶体管；氧化锌层厚度；退火温度；迁移率 　　中图分类号：TB383.1 文献标识码：A 文章编号：1671－7597（2011）0920111－01 　　 　　0 引言 　　纳米氧化锌由于颗粒半径小，比表面积大，与普通氧化锌材料相比显示出许多新异的物理、化学特性，从而具有普通氧化锌材料无法比拟的特殊性能和新用途。纳米氧化锌在航天、电子、冶金、化学、生物和环保等领域中展示了十分广阔、诱人的应用前景。 　　1 实验 　　1.1 氧化锌薄膜生长 　　1.1.1 氧化 　　干氧氧化的氧化层生长机理是：高温下的氧分子与硅片表面的Si原子反应，生成SiO2起始层，其反应方程式为： 　　Si+O2=SiO2 　　设置氧化炉温度为1000℃。将单晶硅洗片，利用HF:H2O=1:9溶液，浸泡5分钟。再用氨水：过氧化氢：水=1:2:8溶液浸泡15-20分钟，90℃环境下。最后用氯化氢：过氧化氢：水=1:2:8溶液，浸泡15分钟，90℃环境下。干氧3小时，氧气流速1L/min。 　　1.1.2 氧化锌生长（ALD） 　　氧化锌的来源为二乙基锌和水，反应如下 　　Zn（C2H5）2 + H2O = ZnO +2C2H6 　　（详细方程式为络合反应，方程如下： 　　ZnOH*+Zn（CH2CH3）2→ZnOZn（CH2CH3）* 　　Zn（CH2CH3）*+H2O→ZnOH*+ C2H6） 　　使用原子层沉积系统为芬兰Pocosun Oy公司/R-75，原料分别为二乙基锌和水，DEZ（L）的温度为19℃，H2O（L）的温度为18℃。输送气流分别为150sccm，200sccm。PULSE TIME为0.1s，PURGE TIME分别为3.0s和4.0s。 　　分别沉积6组实验片： 　　衬底温度150℃ 500cycle（60mn） 　　衬底温度200℃ 500cycle（60nm） 　　衬底温度250℃ 500cycle（60mn） 　　衬底温度250℃ 417cycle（50nm） 　　衬底温度250℃ 333cycle（40nm） 　　衬底温度250℃ 250cycle（30mn） 　　取出实验片后观察，温度越高，氧化层厚度越薄，则颜色越发金黄。 　　1.2 ZnO-TFT的制备 　　1.2.1 自然解理 　　分别将六组十二片实验片解理成若干数量小片。 　　1.2.2 退火优化 　　设置氧化炉温度为300℃，通1L /min氮气进入氧化炉，将衬底温度150℃，500cycle（60mn）和衬底温度250℃，250cycle（30mn），退火一小时。设置氧化炉温度为400℃，通1L/min氮气进入氧化炉，将衬底温度200℃，500cycle（60nm）；衬底温度250℃，500cycle（60mn）；衬底温度250℃，417cycle（50nm）和衬底温度250℃，333cycle（40nm），退火一小时。 设置氧化炉温度为500℃，通1L /min氮气进入氧化炉，将六组实验片各取部分，退火一小时。 　　1.2.3 真空镀膜 　　使用DM-300B型镀膜，将真空度降到2×10-3Pa，让铝丝充分蒸发。 　　2 性能测试 　　2.1 退火温度对氧化锌层粒径的影响 　　未退火时平均直径为31.1nm，400℃退火时平均直径为36.7nm，500℃退火时平均直径为47.2nm。可见，随着退火温度越高，氧化锌层形成的颗粒粒径越大。 　　表面截图如下： 　　 　　 　　2.2 衬底温度，氧化锌层厚度以及退火温度对器件输出特性，转移特性和开关比的影响 　　器件的迁移率可以用饱和区曲线求得： 　　ID=ueffCox（VGS-VTH）2 　　（|VDS||VGS-VTH|） 　　得出迁移率公式为： 　　Ueff=2LID/WCoxVGS2 　　W为沟道宽度，L为沟道长度，对于大管来说W=2cm，L=100um，W/L=200。对小管来说W/L=100，Cox=34.5nf/cm2。 　　开关比公式为：IDmax/IDmin 　　 　　 　　分析1，2两组数据，器件随着退火温度的升高，迁移率上升，阈值电压下降，开关比下降。由于退火温度与时间有利于去除缺陷，所以温度的上升导致了粒径变大，进而迁移率上升。 　　分析2，3两组数据，器件衬底温度的升高，阈值电压的升高，开关比的下降。由于衬底温度升高，二氧化硅在氧化时形成的层较厚，影响了沟道与栅极的电荷感应，所以低阈值电