RSD二维数值模型与N基区结构优化.DOC

　　RSD 二维数值模型与N 基区结构优化 　　摘 要 反向开关晶体管RSD(Reversely switched dynistor)的开通性能与基区结构紧密相连。本文通过MATLAB 建立RSD 的二维数值模型，研究开通过程中RSD 基区电荷变化，为器件开通特性的改进和预充电路设计提供依据。仿真结果表明通过降低RSD 的n 基区厚度，可以降低开通电压峰值，提高n 基区浓度会略微降低开通电压峰值，继续提高则会带来预充问题引起电压上升，在掺杂浓度1015cm-3 附近急剧上升。 　　关键词 反向开关晶体管，N 基区，二维数值仿真，预充电荷 　　1.引言 　　脉冲功率技术是现代一项重要工程应用技术，在军事和工业如电磁发射、脉冲磁场、辐射加工、半导体子注入等众多领域有着广泛的应用前景。脉冲功率开关作为脉冲功率系统的核心元件之一，其性能的优劣对系统的整体性能影响很大。半导体器件具有体积小、寿命长、可靠性高等特点，适合做成功率脉冲开关。反向开关晶体管RSD(Reversely switcheddynistor)是前苏联科学家Grekhov 和他的同事在上世纪八十年代提出的，借助可控等离子体层换流的半导体开关，对于大功率RSD，其阻断电压达几千伏，换流电流每微秒达几百千安，预充过程一般只持续1-2微秒[1]。该器件是一种晶闸管型器件，结构上包含数万个相间排列的晶闸管单元和二极管单元，通过建立可控等离子体层进行换流，避免开通过程中局部电流集中现象，实现器件全面积上均匀同步开通，并具有极大的换流能力和理论上无限串联的特性。由于其独特的开通方式，RSD 在脉冲功率技术中可以达到极高的di/dt，如俄罗斯的0.5-MJ 18-kV 的电容储能模块中，电流上升时间在150μs 情况下，最大电流脉冲幅值达到400kA[2]。此外，在功耗方面RSD 的开关能量损耗在预充时间足够的情况下，比同等器件面积的晶闸管和IGBT 还要小[3]。 　　RSD 的阻断特性和开通特性都与基区结构有关，此前通过仿真和实验研究表明，由于RSD 独特的结构，需要在预充阶段施加反向电压，建立一个大面积的等离子体层，在开通阶段对其不断补充，从而获得大电流的均匀换流[4]。代表等离子体层大小的预充电荷量，决定了RSD 能否正常开通[5][6]，其中等离子体层的建立与维持，与基区结构息息相关。因而本文采用可以反映横向结构的二维数值模型对RSD 进行了仿真研究，得到了RSD 的预充电荷在开通过程中的分布变化，分析了n 基区结构对RSD 性能的影响，为器件开通特性改进和预充电路设计提供依据。 　　2.结构与开通机理 　　不同于传统的晶闸管器件，RSD并没有控制门极，而是通过一种“准二极管模型”方式开通。RSD 的阳极上是交替排列的p+区和n+区，在整个器件上形成交替排列的晶闸管单元和晶体管单元如图1 所示，预充阶段电荷积累在pn 结上形成一块大的等离子层，并在开通阶段进行换流。器件的开通分为两个阶段，预充阶段和导通阶段。预充阶段，即给RSD 提供一个反向电流，使其外加电压极性反偏，晶体管单元的n+-p 射极反向偏置并被击穿，内含的p-n-n+二极管单元正向偏置，引导电流在集电结上形成全面积上均匀的等离子层。预充阶段结束后施加正向电压，使RSD 外加电压极性反转，电子和空穴从集电结上等离子层移向相应的n 基区和p 基区，引起射极层注入非平衡载流子。导通阶段初期，电荷的总平衡是负的，直至等离子体的补充量大于消耗量平衡量才为正。在这样的情况下电荷会存在最低值，其大小与预充强度有关，只有电荷最低值时，没有发生等离子体层的耗尽，开通才能维持下去。由此可见充足的预充电荷是RSD 能否正常开通的关键，预充阶段的反向电流必须在器件内部形成足够大的等离子体层。 　　 　　根据RSD 的触发方式，开通电路需要一个预充回路和一个主回路。由于RSD 工作时接入预充电流及主电流的电极具有几何上合并的特点，在原理上必须在流过预充电流脉冲时将预充回路和主回路进行电解偶，一般可以用带饱和铁芯的电抗器来实现，这里的工作电路用磁开关。 　　3.模型 　　3.1 物理模型 　　根据半导体基本方程建立RSD 基本物理模型和数值模型。迁移率使用300K 时硅迁移率的经验模型参数： 　　 　　 　　 　　 　　模型采用计算元胞如图2 所示，以RSD 径向为x轴，从阳极指向阴极，径向长为LRSD，以RSD 计算元胞横向为y 轴，横向长为WRSD，根据x，y 划取网格点，在pn 结处取密集网格点。选取载流子密度n、p和电势V 为待求未知量，将电流连续性方程代入载流子连续性方程并与泊松方程构成求解方程组。因此，在划分的主格点K 处求解载流子密度n、p 和电势V、产生与复合率等物理量，并取相邻主格点中点处为辅助格点M，在其上计