试验二络合吸附波及其茶叶中铜的测定24学时-北京师范大学精品.DOCVIP

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试验二络合吸附波及其茶叶中铜的测定24学时-北京师范大学精品

PAGE PAGE 16 实验二 络合吸附波及其茶叶中铜的测定(~24学时) 实验目的和要求 掌握用络合吸附波测定茶叶中铜的方法。 初步掌握JP303分析仪的操作方法。 体会络合吸附波的特点及其广泛应用。 分析问题和解决问题的能力。 基本原理 铜离子在Na2B4O7缓冲溶液(pH 9.4)中,能与丁二酮肟(DMG)形成具有吸附性的1:2的络合物。在一定的条件下,该络合物被吸附在电极表面后,络合物中的铜离子发生电化学还原,形成灵敏的络合吸附波。可用下式表示: Cu(Ⅱ) + 2DMG ? [Cu(Ⅱ)(DMG)2] [Cu(Ⅱ) (DMG)2] ? [Cu(Ⅱ) (DMG)2]ads [Cu(Ⅱ) (DMG)2]ads + 2e + Hg ? Cu(Hg) + 2DMG 络合吸附波不仅可以测定金属离子,也可以测定作为配体的有机化合物和药物;也可以用于研究络合物的性质和络合平衡,测定络合比和络合常数等。 主要仪器与试剂 JP303分析仪(成都仪器厂)、三电极极系统、饱和甘汞电极为参比电极、铂丝为对电极、工作电极为滴汞电极、PHS-3B型酸度计(上海雷磁仪器厂)。 10mL带刻度的试管 10支、试管架 1个、5mL移液管 1支、1mL移液管 2支、电解池 10个、洗瓶 1个。 0.1mol/L Na2B4O7缓冲溶液(pH 9.4)、1.0? 10-2 mol/L DMG溶液、1.0? 10-3 mol/L 铜标准溶液、1 mol/L HNO3。 实验步骤 第一单元 查阅、分析、综合文献 实验条件的选择 Na2B4O7缓冲溶液浓度的选择 在固定DMG浓度(2.0? 10-4 mol/L)和pH 9.4下,改变Na2B4O7溶液的浓度c(如0、0.005、0.010、0.015、0.020、0.030、0.040 mol/L等)。在分析仪上分别测定其线性扫描峰电流值Ip。作 Ip? c关系曲线。确定Na2B4O7溶液的最佳浓度。 (2) DMG浓度的选择 在固定Na2B4O7浓度(0.025 mol/L)和pH 9.4下,改变DMG溶液的浓度c(如0、0.5、1.0、2.0、3.0、4.0、5.0? 10-4 mol/L等)。在分析仪上分别测定其线性扫描峰电流值Ip。作 Ip? c关系曲线。确定DMG溶液的最佳浓度。 PH的选择 在固定Na2B4O7浓度(0.025 mol/L)和DMG浓度(2.0? 10-4 mol/L) 下,改变pH 值(如8.0、8.5、9.0、9.5、10.0、10.5、11.0 等)。在分析仪上分别测定其线性扫描峰电流值Ip。作 Ip? pH关系曲线。确定pH的最佳值。 第二单元 络合性的研究 络合物形成的确认 络合物组成的测定 用等摩尔连续变化法,在303分析仪上测定络合物的络合比。在0.025 mol/L Na2B4O7溶液中,总浓度固定为1.0? 10-4 mol/L下,改变Cu2+和DMG的浓度(如Cu2+浓度 0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9? 10-4mol/L和DMG浓度0.9、0.8、0.7、0.6、0.5、0.4、0.3、0.2、0.1? 10-4mol/L),分别测定其峰电流值。作图。确定其络合比。 吸附性的研究 (1) 静止时间的影响 配制一份标准溶液(0.025 mol/L Na2B4O7,2.0? 10-4 mol/L DMG,2.0? 10-6 mol/L Cu2+),在不同静止时间(如5、10、20、40、70、100、120、150、200s)下,分别测定其峰电流值。作图。确定达到吸附平衡的时间。 连续循环伏安图 配制一份标准溶液,静止tacc = 120s ,扫速v = 100mV/s,在 -0.2? -0.6V间作连续循环伏安图。 第三单元 吸附性的研究 扫速的影响 配制一份标准溶液,静止tacc = 120s ,改变扫速(如5、10、20、40、70、100、120、150、200 mV/s),分别测定其峰电流值。作Ip ? v 和Ip ? v 1/2图。确定其电极过程是否受吸附控制。 (4) NPP图 配制一份标准溶液,在起始电位EI = -0.1V, v = 2mV/s,t = 5s下,作正扫和逆扫的NPP图。确定其反应物是否有吸附性。 电活性的研究 (1) 循环伏安图 配制一份标准溶液,扫速v = 100mV/s,在-0.2? -0.6V间作连续循环伏安图。根据其峰电位之差△Ep= Epa - Epc和峰电流之比Ipa/Ipc,判断其可逆性。 (2) 电极反应电子转移数的测定 根据其线性扫描伏安图的半峰宽,求出其电极反应电子转移系数。 第四单元 (1) 样品的处理 将试样在1050C烘

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