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HfO2高K栅介质制备及其电学特性分析 　　[摘要]选择HfO2高K姗介质作为研究对象，利用反应溅射方法制备了HfO2栅介质薄膜，分析不同的工艺制备条件对其HfO2栅介质电学性质和可靠性的影响。 　　[关键词]高K栅介质 HfO2 泄漏电流输运机制 SILC效应 　　中图分类号：TM2 文献标识码：A 文章编号：1671－7597（2008）1110014－01 　　 　　MIS（金属一绝缘体一半导体）结构是MOSFET的重要组成部分，也是理解MOSFET工作的重要物理基础。它是MOSFET实现栅控沟道电流的根本所在，对高K栅介质MIS器件的研究，有助于了解高K栅介质的各种性能，如和硅的稳定性，介质的电学性能，界面态等方面[1-3]。因此，对高K栅介质材料MIS结构性能的研究既是研究高K材料性质的手段，也是研究其在微电子技术中应用的重要一环。本文在制备HfO2栅介质的MIS电容样品基础上，通过考察不同工艺条件下制备的HfO2栅介质的电学性质及其SILC效应，讨论研究了HfO2栅介质的优化工艺。 　　 　　一、HfO2薄膜的制备工艺 　　 　　（一）实验方案 　　在我们的HfO2高K栅介质制备工艺实验中，所研究和优化的工艺条件包括：Si表面处理工艺、溅射工艺、HfO2淀积后的退火工艺。在Si表面处理工艺中，传统的HF清洗工艺和新型NH4F清洗工艺被应用，以考察经过NH4F表面处理对HfO2介质层电学性能的影响；在溅射工艺中，不同的O2和Ar2的气体分压比被应用，以考察溅射氛围对HfO2介质层电学性能的影响；在退火工艺中，不同的退火氛围(N2或O2)和不同的退火温度被应用，以考察退火氛围对HfO2介质层电学性能的影响。 　　（二）HfO2薄膜的制备 　　实验制备了A1/HfO2/Si MIS电容。反应溅射是在控制比例的O2和Ar的氛围中进行的。随后进行退火以改善介质层的电学性能。另外为了保证电学测量时，有好的电学接触，样品在淀积HfO2之前首先在硅衬底背面淀积了Pt金属层。制备的主要流程如下： 　　备片：采用P型Si衬底，其电阻率为5－l0cm 。 　　用热H2SO4处理：清洗硅衬底10分钟。 　　用HF处理：去除硅表面的自然氧化层，Hf：H2O=2：1，处理时间20秒。 　　部分片子用NH4F处理以改善HfO2介质层与Si衬底的电学性能：NH4F：H2O=2：1，漂20秒。 　　室温下反应溅射生成HfO2，将衬底装入溅射的真空室，溅射时间为2分钟，不同的溅射氛围被应用。 　　在N2或O2的气氛中退火：对制成的样品进行淀积后的退火处理，不同的退火温度和退火气氛被应用。 　　利用剥离方法制备形成A1上电极：其面积为50×50 ，100×100。 　　 　　二、HfO2高K栅介质电学特性 　　 　　在我们的实验中用的是Keithley公司的C-V测试设备，该仪器有以下几个组件：Keithiey 5951 Remcte Input Coupler (5951输入辐合器)；Keithley 595 Quasistatic CV Meter(595准静态CV仪)；Keithley 590 CV Analyzer(590 CV分析仪)；Keithley 230 Programmable Voltage Source (230可编程电压源)。这套设备采用图形操作接口，界面非常友好，还提供了一整套用于提取参数的库文件，可以提取包括掺杂浓度、功函数差、有效氧化层电荷、可动离子浓度以及电子空穴对的产生速度和寿命在内的许多参数。用户还可以自己增加公式和修改已有的公式及常数。但是Keithley公司的C-V测试设备对漏电流的要求比较高。一般漏电流达到纳安量级后测得的数据就不太可靠，可重复性也很低。 　　实验中所用的测试高K HfO2MIS结构的I-V特性设备是HP4156B,实验中分别采用电阻率为5.0-10cm的P-Si和N-Si(100)衬底，其掺杂浓度为2×1015cm－3。S i衬底在装入淀积室之前，首先进行表面化学清洁处理，具体清洗过程为，先将硅衬底在热的H2SO,：H2O2(1：4)溶液中煮l0min，以去除硅片表面的金属离子和其他杂质，然后用去离子水充分冲洗后，在稀释的HF溶液(HF：H2O =1：20)中浸泡20s，以去除表面的自然氧化层，用去离子水充分冲洗并用N2吹干后，立即装入溅射系统中做Pt电极和高K栅介质的生长，对背电极Pt我们做了900度快速退火处理，这样可以使Pt电极再结晶，使Pt/Si界面平整，减小漏电流。为了抑制淀积过程中HfO2栅介质与Si衬底间的界面反应，整个溅射过程在室温下进行，在Ar2/O2混合气体中利用反应磁拉溅射的方法在Si衬底上淀积HfO2介质层。为了改善栅介