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三维中频磁场测量传感器的设计 　　摘要： 针对肿瘤热疗发生装置产生的中频强磁场的测量设计三维传感器，可测量磁场空间点三坐标磁场分量，合成磁场矢量。设计制作基于霍尔器件的三维传感器，重点分析传感器的误差，对其进行标定，最后对不均匀的实验磁场进行测试，实验符合预期结果。 　　关键词： 中频强磁场测量；三维传感器；误差分析；标定；测试 　　中图分类号：TP212.13文献标识码：A文章编号：11 研究背景及内容 　　中频强磁场在科研和医疗领域运用越来越广泛，但其测量技术却相对滞后，本设计针对肿瘤热疗设备产生的中频强磁场进行测量。中频强磁场空间以矢量分布，由于热疗设备磁极的间隙，两端产生边缘效应，导致磁路不规则，因此使用常规传感器无法准确测量磁场大小和方向。国内外已经研发的这类交变磁场传感器，目前只能测微弱交变磁场（6GS），不能达到中频强磁场的测量要求，因此有必要设计三维中频强磁场测量传感器，技术指标在频率为0-150KHz、场强为0-300GS范围内。 　　2 三维传感器结构设计 　　2.1 磁场测量方法的选择 　　虽然测量磁场的传感器众多，但测量中频强磁场只有几种可以选择，且都是一维传感器。其中用霍尔元件制成的磁场测量装置，测量范围可从10T的强磁场到10-7T的弱磁场，测量精度可从1%到0.01%，既可测量大范围的均匀场，也可测不均匀场；既可测直流磁场，也可测脉冲磁场或其它交变磁场。本设计采用一维霍尔传感器件组合成三维传感器的方法。 　　2.2 霍尔器件的选择 　　选择立式一维霍尔器件SJ411。该传感器是微型封装，线性度优良、温度稳定性好。SJ411的供电的方式为恒流源驱动，典型控制电流为5mA。其测量频率已经达到150KHz左右，强度测量范围为0～300GS，可满足测量的要求。 　　2.3 三维传感器的结构设计 　　将六个性能参数相同的霍尔元件分别粘贴在一个小立方体的六个面上，互相平行两个面上的霍尔元件共同完成某一个方向的磁场测量。由于立方体相邻的三个面彼此正交，可以构成一个三维的磁敏传感器，用于测量立方体中心点磁场的三个分量[1]。 　　粘贴在小立方体两个互相平行表面上的霍尔元件采用差分的方式进行连接，输出的不等位电压相当于共模信号，而被测磁感应强度所产生的霍尔输出电压相当于差模信号。两个霍尔元件的输出信号接到差分放大器后，抑制了其不等位输出电压，提高了抗干扰能力，同时可以有效地减少温度变化的影响。 　　传感器的供电的方式为恒流源驱动，可减小温度误差。 　　3 传感器的误差分析 　　根据设计的精度要求（5%-10%），对三维传感器进行误差分析。与常规传感器不同，三维传感器因其结构的特殊性使其精度也受多方面的影响。 　　 　　 　　3.1 非正交误差分析 　　粘贴角度偏差会对传感器的测量精度带来影响。粘贴的霍尔元件H出现偏角时，原本垂直于立方体表面的磁感应强度B在垂直于霍尔元件H表面方向上产生的分量 为 　　 　　由于霍尔元件的输出电压只与垂直的磁感应强度成正比，从而导致的相对测量误差为 　　 　　 　　研究[1]证明，为了保证传感器的测量精度，应将霍尔元件的粘贴偏角严格控制在以内，所引入的测量误差为0.06%。 　　3.2 体积误差 　　由于磁场的空间分布和磁感应强度的变化梯度不是均匀的，所以传感器的体积对测量精度有着较大的影响。假设互相平行的两个面上磁感应强度的变化梯度分别为g1和g2，被测点磁感应强度的真实值为B，传感器的边长为d，测量结果为： 　　 　　 　　由此产生的相对测量误差为 　　 　　 　　传感器的体积越小，引入的测量误差越小。为了保证测量精度，传感器的边长应小于传感器与激励源距离的1／10，此时的误差小于0.2%。 　　3.3 不对称误差 　　由于制造工艺水平等客观原因，传感器的六个霍尔元件及其激励电路灵敏度之间存在微小差异，这种轴向灵敏度的不对称性会造成测量的误差，一般都能控制在0.5%以内[2]。 　　3.4 零位误差 　　零位误差主要为不等位输出电压。因为传感器磁芯存在剩磁现象，三轴的信号放大电路产生零点漂移，即使磁场传感器所处的磁场强度为0，三轴仍会有较小的偏移量输出。SJ411的不等位输出电压10%。 　　3.5 总体误差 　　根据误差分析理论，传感器的总体误差可以使用下式进行计算： 　　 　　 　　式中，代表霍尔元件的粘贴偏角所导致的误差，偏角控制在2o时，误差为0.06%； 代表传感器体积所产生的误差，一般可以控制在0.2%以内；代表霍尔元件的零位误差（主要是不等位输出电压），大约为6%； 　　 代表霍尔元件的温度误差，包括温度变化导致的内阻误差和灵敏度系数误差两个方面，采用恒流源和软件补偿后可以控制在0