一种新颖PFC控制策略.docVIP

一种新颖的PFC控制策略 　　摘要：分析设计了一款新颖的功率因数校正（PFC）电路，该电路可以工作于不连续传导模式(DCM)和临界连续传导模式(CRM)，并实现两种模式的自动切换，兼具两种工作模式的优势。在输入电压跨零附近，电路工作于固定频率的DCM下，限制最大的开关频率，从而降低污染系统的电磁干扰(EMI)噪声。在输入电压峰值附近，电路工作于频率可变的CRM下，降低升压二极管、功率MOSFET和电感上的电流应力，从而降低费用并且提高电路的可靠性。采用台联电0.6μm BCD工艺仿真验证，得到了近1的功率因数。 　　关键词：功率因数；不连续传导；临界连续传导；电磁干扰噪声；电流应力 　　 　　1 引 言 　　 　　随着电力电子装置的应用日益广泛，电网中的谐波污染也日趋严重，解决这一问题的有效办法就是对用电设备进行功率因数校正（PFC）。功率因数校正可以分为两类：无源功率因数校正和有源功率因数校正。有源功率因数校正可以得到较高的功率因数，总谐波失真（THD）小，可以在较大输入电压范围内工作，已经成为提高电源功率因数的最主要方法。PFC升压变换器是有源功率因数校正最常用的方法，就流过升压电感上的电流而言可分为三种类型：（1）连续传导模式（CCM）;（2）临界传导模式（CRM）;（3）不连续传导模式（DCM）。三种模式的PFC升压变换器，都可以将功率因数（PF）由未插入PFC电路时的0.55～0.65提高到0.98以上，乃至于接近1（PF0.995）[1]。作为中小型功率应用场合下常用的两种方式，CRM和DCM各有优缺点：相同输入电流下，CRM的峰值电流小于DCM，因此CRM具有较小的电流应力和导通损耗。但是在输入电压跨零附近，其开关频率非常高(往往达到300～500KHz)，会产生较严重的电磁干扰，并且使控制IC的传输延迟和开关电源的反应速度不可以忽略，引起电流波形失真导致功率因数降低[2]。DCM可以避免输入电压跨零附近的过高开关频率，但是却存在电流应力大，导通损耗高等缺点。采用本文所述方法，可以使得电路完成DCM和CRM自动切换的功能，从而兼具DCM和CRM的优点，如图1所示。 　　 　　2 功率因数校正原理 　　 　　功率因数校正的作用就是要消除电网电流尖峰，使输入电流成为正弦形状并且和输入电压同相位[3]。就单个开关周期而言，要求每个开关周期的平均电流与输人电压成正比。从图1中抽取单个周期分析，如图2所示， TSW为振荡器或者外部同步信号强制开关周期，T1、T2、T3分别表示功率MOSFET导通时间、电感退磁时间、死区时间（T3可以为0）。 　　在时间T1内，MOSFET导通，电感电流持续从0增加到IPK，此时输入电压为VIN ， 　　电感在开关周期TSW的平均电流是： 　　如果按如下定义电流周期的相对长度(Dcycle) 　　电感电流平均值可以简单表示为： 　　其输入阻抗为 　　保持项恒定，使得任何开关周期内的电感平均电流和输入电压VIN成正比。因此平均输入电流是正弦的，并且和输入电压保持同相位，从而达到调整功率因数的目的。 　　 　　3 电路拓扑结构 　　 　　由于PFC电路同时具有稳压和整流功能，稳压要求输出电压稳定，整流要求功率因数为1。因此，PFC电路必须同时引入电压反馈和电流反馈构成双环控制系统，外环实现输出电压稳定，内环实现电流整形，使之成为与输入电压相位相同的标准正弦波[4]，其拓扑结构如图3所示。 　　电路采用了简单的输出电压反馈方式，电阻检测输出电压，并转化为电流输入到整流模块，根据欧姆定律有 　　IFB经过整流后输出一个与反馈电流成反比的电压VREG，此电压决定了功率MOSFET导通时间。输出电压升高，VREG降低，导通时间减小，使得输出电压降低，反之亦然。CRM模式下积分器GV为单位反馈连结，输出信号VTON等于输入信号VREG；DCM模式下，电感电流下降为零，积分器GV开始积分，输出信号VTON升高，调制功率MOSFET导电时间。即积分器GV检测每个开关周期的死区时间，并补偿它，使得T1×D在一个输人电压周期内保持恒定。 　　为了保证电路只运行在DCM或者CRM下，只要电感上有一些电流，功率MOSFET便不能重新导通。振荡器产生的时钟信号的负边缘被储存在RS锁存器Q1中，此信号和零电流检测信号相乘，若输出高电平，RS锁存器Q1将被置位，RS锁存器Q2输出高电平，功率MOSFET导通。当斜坡上升的RAMP信号达到VTON时，比较器输出高电平，锁存器Q2重新输出低电平，功率MOSFET截止。 　　在输入电压跨零附近，电感上电流下降为零，电流检测输出高电平。但RS锁存器Q1输出低电平，与门输出低电平，功率MOSFET不能够重新导通，电感电流保持为零。振荡