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三终端量子环中热电输运性质的研究 　　摘 要：利用卡文迪许格林函数方法，从理论上研究一个引入磁通，且含有Rashba自旋轨道耦合作用的三终端量子环系统中的热电输运性质。经过研究发现，系统中存在的自旋相关的量子干涉效应可以让热电输运过程变得自旋极化，进而产生热自旋流。计算结果表明，产生的热自旋流的诸多属性，比如大小和自旋极化，可以通过改变系统的参数来调控。在一定的条件下，系统在温度差的驱动下甚至可以产生完全自旋极化的电流。这些现象表明，目前研究的系统在热自旋电子学中有一定的应用价值。 　　关键词：量子环；热电输运；Rashba自旋轨道耦合；自旋流 　　中图分类号：O488 文献标识码：A DOI：10.15913/j.cnki.kjycx.2017.08.001 　　近十几年来，自旋电子学作为凝聚态物理中的一个新的分支受到了人们的广泛关注。研究自旋电子学的主要目的是能够在电子器件中用电子的自旋自由度代替电荷自由度来实现信息的存储、调控和传输。由于操纵电子自旋所需要的能耗要比操纵电子电荷所需要的低得多，而电子的自旋只有2个分立的本征态可以用来表示数理逻辑中的“0”和“1”，因此，这种自旋电子器件可以拥有比传统电子器件更小的功耗、更快的信息处理速度和更稳定的信息存储能力。然而，要想实现自旋电子器件这些优异的功能，还有一个关键的问题亟待人们解决，那就是如何在介观尺度下有效地实现电子自旋的输运，即获得自旋流。针对这个问题，人们已从理论上或在实验中提出了若干种解决方案。在这些方案中，磁学方法的代表是利用动态磁场驱动的自旋泵浦效应。例如，王等人曾从理论上设计出一种新型的自旋场效应晶体管，该器件可以利用旋转磁场泵浦出纯自旋流，并且可以在只连接一个终端，即在单极的情形下工作。电学的方法主要有利用多终端自旋轨道耦合系统中依赖于自旋的量子干涉效应，利用自旋轨道耦合系统中的自旋霍尔效应。这2种方法的优点是可以利用纯电学的手段来获得并操控自旋流。这其中自旋霍尔效应已在实验中得到了验证，例如，人们已在含有Rashba自旋轨道耦合作用的样品横向边界上测量到了明显的自旋积累，从而验证了样品在纵向电场的作用下产生了横向自旋流，即存在自旋霍尔效应。 　　除了磁学电学的方法，近来人们又开始考虑利用热学手段调控自旋流，从而提出了1个自旋电子学的新研究方向，即热自旋电子学或叫自旋卡诺电子学。例如，Uchida等人首次在块状铁磁样品中发现了自旋塞贝克效应，即样品两端施加温度差可以产生自旋流或自旋偏压。类似的热自旋效应已经在各种构型的纳米结构中得到了理论上的研究。然而，已有的研究大部分关注的都是两终端介观体系中的热自旋输运性质，对多终端（三终端及以上）介观体系中的热自旋现象则少有涉及。而实际上，由于多终端介观体系能够提供比两终端系统更多的电子输运路径，所以，它往往能够呈现出一些新颖的电子输运性质。鉴于此，本文以三终端的Rashba量子环为研究对象，利用Keldysh格林函数方法详细地研究了其热电输运性质。经过研究发现，Rashba自旋轨道耦合作用参与的量子干涉效应能够破坏热电输运过程中原本应该存在的自旋简并，从而导致与量子环相连的电极中在温度差的驱使下出现热自旋流。产生的热自旋流使得参数可调的其各方面的属性都可以通过调节系统参数来调控。恰当地选取系统参数甚至可以产生完全自旋极化电流。 　　1 理论模型和计算方法 　　本文所研究的系统如图1所示，中间是一个干净的、在电极L与电极R之间的环臂中、含有Rashba自旋轨道耦合作用的量子环。它的周边环绕着3个与其相耦合的普通电极，另外还有一个外加的磁通垂直地穿过量子环。该系统的Hamiltonian量可表示为： 　　H=HC+HT. 　　2 数值计算与结果 　　下面，通过数值计算来详细研究电极M中热致电流和热致自旋流的性质。在数值计算的整个过程中，凡是与能量有关的量都以1meV为单位能量，并取t=1和1/ρ=1，则et/h的量纲正好为电流的量纲，笔者取其作为自旋分流、电流和自旋流的单位。同时，笔者还固定3个电极上的温度，使其分别满足kBTL=0.1，kBTM=5.0，kBTR=10.其中，TL、TM、TR分别为电极L、电极M和电极R的温度。图2中给出了电极M中2个自旋分流和电流自旋流在选取不同的Ahraonov-Bohm相位Φ时随自旋进动相位变化的情况。显然，图2中自旋向上分流与自旋向下分流随自旋进动相位变化的步调是不一样的，这样就导致电流自旋流的大小会随着自旋进动相位的变化而改变。与电流不同的是，自旋流的符号也能随自旋进动相位改变。这里自旋流符号的?化主要是由自旋流自旋极化方向的改变而引起的。当自旋进动相位小于π时，2个自旋分流的流向一致（都为正的），但是，自旋向上分流的值小于自旋向下分流的值，从而导致自旋