半导体科技22193奈米微影技术现况…微调制程.DOC

TITLE \* MERGEFORMAT from: SUBJECT \* MERGEFORMAT ITRI-ITIS-MEMS- AUTHOR \* MERGEFORMAT Rational You: RationalYou@ 【 FILENAME \p I:\半導體科技★\■●★--.doc】 All: NUMPAGES 9 pages( TIME \@ yyyy/M/d 2002/2/26)【PAGE9 】 半導體科技22★193奈米微影技術現況…微調製程 James Beach, Sri Satyanarayana, Arnie Ford, Vivek Bakshi, International Sematech, Austin, Texas TOC \o 1-7 \h \z HYPERLINK \l _To半導體科技22★193奈米微影技術現況…微調製程 PAGEREF _To\h 1 HYPERLINK \l _To(A) 光阻效能 PAGEREF _To\h 2 HYPERLINK \l _To(B) 縮小線寬：光阻與量測問題 PAGEREF _To\h 3 HYPERLINK \l _To[圖一：使用一般光束設定的CD SEM，量測130奈米密集線與193奈米獨立線光阻的靜態準確度為小於2奈米。] PAGEREF _To\h 3 HYPERLINK \l _To(C) 100奈米技術節點■ PAGEREF _To\h 3 HYPERLINK \l _To[表一：2000年ITRS所設定的100奈米技術節點目標。] PAGEREF _To\h 4 HYPERLINK \l _To(D) 接觸孔 PAGEREF _To\h 4 HYPERLINK \l _To[圖二：聚焦後的截面圖顯示出最佳曝光量蝕刻後的130奈米接觸孔圖。此接觸孔是以193奈米機台曝光，加上6%的衰減式相位移光罩。 ] PAGEREF _To\h 4 HYPERLINK \l _To[圖三：10K下130奈米接觸孔的截面圖顯示出其良好的剖面與關鍵尺寸一致性，展示了並非所有的193奈米製程都需要硬式光罩。] PAGEREF _To\h 5 HYPERLINK \l _To[圖四：在100奈米與氧化物的接觸孔製程中使用氮化物硬式光罩，其深寬比為11：1。] PAGEREF _To\h 6 HYPERLINK \l _To[圖五：100奈米接觸孔的蝕刻前與蝕刻後CD一致性資料顯示出可接收的初步結果。] PAGEREF _To\h 6 HYPERLINK \l _To(E) 獨立線 / 密集線 PAGEREF _To\h 6 HYPERLINK \l _To[圖六：對於多晶矽上的70奈米獨立線，其最佳曝光條件時的聚焦深度為0.5微米。] PAGEREF _To\h 7 HYPERLINK \l _To[圖七：從多晶矽薄膜資料，得到65奈米獨立線的CD一致性和微影蝕刻偏壓，顯示平均最後CD為53.6奈米。] PAGEREF _To\h 7 HYPERLINK \l _To[圖八：從360K引洞串連的機率圖表中顯示，180奈米接觸孔的良率可以達到60%，並在維持引洞尺寸條件下，其良率可以超過90%。] PAGEREF _To\h 7 HYPERLINK \l _To(F) 結論 PAGEREF _To\h 8 HYPERLINK \l _To(G) 致謝 PAGEREF _To\h 8 HYPERLINK \l _To(H) 參考資料 PAGEREF _To\h 8 HYPERLINK \l _To(I) 作者 PAGEREF _To\h 8 原本預計在180奈米微影技術之後，193奈米微影技術將要進入130奈米技術節點世