如何控制跟提高单晶硅片的质量.pptVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
如何控制跟提高单晶硅片的质量

概要 国际市场对中国太阳能光伏产品质量的不信任一直伴随着中国太阳能光伏产业近几年的飞速发展,如不重视并解决这个问题,中国太阳能光伏产业链上的几百家企业将面临严重的发展甚至生存问题。单晶硅片作为这个链条上的一个重要环节,其产品质量的好坏直接影响着太阳能电池组件的内在品质。 单晶硅片的品质对太阳能电池组件品质的相关性在两个层面上体现,一是通过改变大的工艺路线实现对太阳能电池组件品质具备良性影响的方法,如提供FZ、MCZ、掺镓单晶硅片取代传统的掺棚CZ单晶硅片,通过改善硅片本身的内在特性,来实现高的光电转换效率,避免或大幅度减少衰减效应,从而为获得高效低衰减电池提供可能的硅材料;二是在大的工艺路线一定的情况下(目前主要是CZ法),通过此环节中原料处理过程、单晶生长过程及硅片加工过程的有效控制实现此工艺路线下质量有保障的单晶硅片,从而使太阳能电池组件的质量能纳入控制,消除国际市场对中国制造的不良印象,从而提高中国光伏产业链的国际竞争力。 硅材料在光伏产业链的位置 基本功能材料 产业链的中上游 对产业链最终产品的内在质量起决定性影响 目前是主要的成本影响因素,长期看不构成对成本的重要影响 新工艺路径 因硼氧复合体不可避免地导致效率衰减,围绕减低单晶硅中硼、氧含量的目标出现新的工艺方法(PK常规的掺硼CZ单晶硅): FZ MCZ 掺镓单晶硅 掺磷单晶硅的应用 上图引自:12th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cell Materials and Processes, Breckenridge, Colorado, August 2002 LIGHT-INDUCED DEGRADATION IN CZ SILICON SOLAR CELLS: FUNDAMENTAL UNDERSTANDING AND STRATEGIES FOR ITS AVOIDANCE Jan Schmidt and Rudolf Hezel 上图引自:12th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cell Materials and Processes, Breckenridge, Colorado, August 2002 LIGHT-INDUCED DEGRADATION IN CZ SILICON SOLAR CELLS: FUNDAMENTAL UNDERSTANDING AND STRATEGIES FOR ITS AVOIDANCE Jan Schmidt and Rudolf Hezel 在大的工艺路线一定的情况下(目前主要是掺硼CZ法),通过此环节中原料处理过程、单晶生长过程及硅片加工过程的有效控制实现此工艺路线下质量有保障的单晶硅片,从而使太阳能电池组件的质量能纳入控制 ,这些是我们此环节目前的重点工作,也是上面所谈到新工艺的基础工作。 高纯意识 硅是我们人类可以做得最纯的元素 高纯意识要贯穿我们生产的所有环节 完美意识 完美晶体 过程完美 结果完美 管理和控制意识 不仅要认识到,还要做到 We are dedicated to silicon industry 如何控制和提高 单晶硅片质量 2007年12月 概要 硅材料在光伏产业链的位置 单晶硅片质量影响因素 新工艺路径 关键意识 LONGi质量控制过程简介 有待改进的工作 认识误区 总结及期望 内容 单晶硅片质量影响因素 1、纯度 2、晶体缺陷 及生长工艺控制 3、硅片加工缺陷 ●少子寿命 ●碳含量 ●径向电阻率不均匀性(补偿度) ●晶界、位错、孔洞 ●热应力、棒加工表面质量 ●电阻率参数控制 ●线痕及崩缺 ●表面清洗质量 ●厚度参数控制 单晶硅片质量影响因素 各生产环节对硅片质量影响程度表 / 100% / / 表面质量(线痕\沾污) 50% 50% / / 崩边\缺口 / 10% 90% / 弯曲度2(应力片) / 80% 20% / 弯曲度(BOW) / 100% / / 总厚度变化(TTV) / 100% / / 厚度范围 / / 100% / 位错/晶界 / / 100% / 氧含量 / / 40% 60% 碳含量 / / 10% 90% 少数载流子寿命 / / 50% 50% 径向电阻率不均匀性 / 10% 90% / 电阻率范围 90% 1% 9% / 外形尺寸 9% 1% 90% / 晶向 100±30 / / 100% / 型号、掺杂剂(P/B) 硅棒加工 硅片加工 单晶生长 原材料 硅片参数 单晶硅片质量影响因素 对电池转换效率的影响 ●纯度 ●晶体结构完整性 ●生产控制 ◆少子寿命 ◆碳含量 ◆应力

文档评论(0)

karin + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档