基于2．5gbit／s运用长波长雪崩光电二极管.pdf

维普资讯 第24卷 第 l期 深圳大学学报理工版 Vo1．24 No．1 2007年 1月 JOURNALOFSHENZHENUNIVERSITY SCIENCEANDENGINEERINC Jan．2007 文章编号 ：1000-2618(2007)Ol一0069—06 基于2．5Gbit／s应用长波长雪崩光 电二极管 曹均凯，王国栋，李小兵，李连城 ，张 伟 (深圳飞通光电子技术有限公司，深圳 518057) 摘 要：设计并制作一种基于2．5Gbit／s应用的分离吸收区和倍增区结构的InGaAs／InP雪崩光电二极 管 (avalanchephotodiode，APD)，该APD具有低击穿电压VBR(典型值为40V)和低暗电流 (反偏电压为 0．9V 时典型值为 lnA)的显著特点，适合低工作电压的应用场合，如小型化的SFP和SFF光通信模块． 组件测试结果表明，该APD具有高的饱和光功率和灵敏度，适用于2．5Gbit／s及以下光通信及测量系统中 对 1310nnr／1550nm波长光的探测． 关键词：雪崩光电二极管；雪崩倍增；倍增因子；光电探测器；光纤通信 中图分类号：TN312．4；TN312 ．7 文献标识码 ：A InGaAs／InP雪崩光电二极管 (avalanchephoto— diode，APD)是一种具有内部增益的长波长光电探 1 器件设计 测器，灵敏度优于同速率同材质 PIN探测器8—1O dBm以上．在高速应用中，主要有 1．25GHz、2．5 1．1 芯片结构 GHz和 10GHz三种规格的芯片及组件．目前，国 APD器件工作在较高电场下，采用平面结构制 际上仅少数知名的光器件公司有产品，如滨松光电 作的器件，其扩散结边缘存在曲率效应，电场在此 子、住友电子、三菱、JDSU和 EMCORE等，但价 集中，出现边缘的早期击穿．如何控制边缘击穿是 格较高．国内尚未见 1．25GHz及其以上高速 APD APD器件设计及工艺制作的重要课题．优选带浮置 产品报道． 保护环 (floatingguardrings)分离吸收区和倍增区 目前对台面及平面结构的APD 已进行了较深 (SAM)结构为芯片结构，如图1．在 n-InP衬底 入的研究．由于台面表面钝化难，可靠性较差．近 上依次外延生长 n—InP过渡层、n一一InGaAs吸收层、 几年，人们主要致力于平面结构性能的改进 ¨ ． n一一InGaAsP带穴渐变层、n—InP场控层和n一-InP帽 从器件模型、材料特性和物理效应等方面进行了芯 层．在帽层上通过zn扩散形成P 区．为降低边缘 片制作、工艺优化和器件可靠性研究 ，使APD 电场，在芯片有源区边缘设计了高低结，在外部增 芯片制作技术更趋成熟和多样 ；文献 [8-9]从能 加了悬浮保护环．最后通过双扩散完成PN结制作． 带工程角度提出进一步提高器件性能的方法；文献 [1O]从新材料组合中实现性能的根本改善，利用 硅材料电子空穴离化率差异较大的特点，克服 InP 基材料的不足，使器件的增益带宽积达到了315 GHz；文献 [11]讨论了APD在光通信突发接收中 设计应用．近年，随着技术水平的提高，器件的工 作 (击穿)电压降低，为能在小型化模块如SFP和 SFF中应用提供了可能．此外，随着 丌Tx应用普 及，低击穿APD的应用已呈现诱人前景． 图1 芯片结构示意图 Fig．1 Chipstructuresketch 收稿 日期：2006—10—17；修回日期：200612—21 作者简介：曹均凯(1963一)，男(汉族)，四川省南充市人。深圳飞通光电技术有限公司高级工程师．E-mail：junkaicao@neophotonics．corncn