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刍议SiO2膜在IC工艺中应用及其制备方法 　　摘 要二氧化硅膜（SiO2）由于具有理想的绝缘性能以及其致密的结构，在IC制造工艺中，可用于多层互联线的隔离以及掺杂时的掩蔽阻挡，具有广泛的应用。本文简要介绍几种主要的SiO2的制备技术和应用，并探讨其新型的制备技术。 　　【关键词】二氧化硅 绝缘 隔离 阻挡 　　SiO2膜是集成电路制造工艺中一种广泛应用的薄膜材料，随着集成电路工艺的迅速发展及对器件可靠性要求越来越高，工艺中，对SiO2膜的质量要求也越来越高，其制备方式也越来越繁多。在集成电路制造过程中，虽然也会用到氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料，此类薄膜材料也具备和SiO2膜一样的杂质掩蔽和表面钝化等功能，但由于SiO2膜在性能质量以及制备过程等方面，具有一定的优越性，因而，在目前的大规模以及超大规模集成电路制造中，SiO2膜仍然是优选的薄膜材料。 　　1 SiO2膜结构性质及功能 　　1.1 SiO2膜的结构和性质 　　二氧化硅，也即SiO2，又名硅石，在自然界中主要以石英砂，按结构可以分为结晶型和非结晶型两种。方石英、磷石英、水晶等都属于结晶型；在氧化工艺中所制备出来的二氧化硅，都属于非结晶型，也即无定型态，是一种透明的玻璃体。 　　无论是结晶型还是非结晶型的SiO2，都是由Si-O四面体组成。四面体的中心是硅原子，4个顶角上是氧原子。从顶角上的氧到四面体中心的硅，再到另一个顶角的氧，称为0-Si-O桥。对于结晶型SiO2而言，0-Si-O桥的键角为109.5°，是固定的。其四面体结构在空间中有规则的排列。对于无定型的SiO2来说，Si-O-Si的角度不是固定的，一般分布在120°～180°之间，其结构虽然也是由Si-O四面体构成，但是其在空间中的排列是没有规则的。 　　结晶型SiO2中的氧，都是与两个Si-O相连接，对于非结晶型SiO2而言，虽然大部分氧与两个Si-O连接，但是也有一部分氧只与一个Si-O连接，相应的，我们把连接两个Si-O四面体的氧称为桥联氧，将至于一个Si-O连接的氧，称为非桥联氧。在SiO2中，桥联氧的数目，决定了SiO2材料的结构致密程度，因此，由于结晶型SiO2中桥联氧数量大，其结构远比非结晶型SiO2致密。所以，在IC生产过程中，在不同的生产环节中，要根据SiO2的实际质量要求，选择对应的制备方式来制备SiO2膜。 　　SiO2是一种理想的绝缘材料，其电阻率较大，用不同方式制备的二氧化硅膜，其电阻率相差较大。用二氧化的方式生出来的SiO2，电阻率为1015～1016Ω?cm，表明此类SiO2是一种良好的绝缘体；用热分解淀积的方式制备出来的SiO2，其电阻率为107～108Ω?cm，表明此类SiO2中含有较多的杂质，从而导致其电阻率较低。 　　SiO2化学性质非常稳定，它既不溶于水，也不溶于一般的酸和碱中，只能和氢氟酸（HF）发生反应。正是由于这个性质，在光刻工艺中，可用HF来对SiO2进行刻蚀，以获得所需要的晶片表面图形。其化学反应式如下： 　　SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O （式1-1） 　　式中，H2[SiF6]为一种能溶于水的络合物，称为六氟硅酸。 　　1.2 SiO2膜的用途 　　1.2.1 用作器件表面钝化层 　　为防止芯片P-N结边缘以及器件表面受到外界环境污染，通常在其表面生长一层SiO2膜钝化层，以提高器件的稳定性和可靠性。表面的钝化作用体现在如下两个方面：一方面在芯片制造过程中，晶圆表面的钝化层可以防止电学性质活泼的离子类的污染物进入到晶圆内部；另一方面，器件表面的钝化层可以将器件表面及芯片P-N结与外界环境隔离开，降低外界气氛对器件的影响，从而起到保护芯片的目的。 　　1.2.2 用于掺杂时的掩蔽阻挡层 　　掺杂是通过热扩散或离子注入的方式把特定的杂质引入到裸露在外面的晶圆内部。作为掺杂阻挡层的SiO2掩蔽作用示意图如图1.1所示。 　　以扩散为例，杂质以一定的浓度向硅片表面扩散的时候同时，也会在SiO2层内进行扩散，但杂质在SiO2中的扩散速度远远小于其在硅中的扩散速度，因此，当杂质在硅中的扩散深度达到要求而停止扩散时，其在SiO2层中仅仅扩散了一小段距离而无法穿透SiO2膜层，从而达到掩蔽的效果。 　　1.2.3 用于器件的隔离层 　　SiO2由于其良好的绝缘性能，在集成电路中广泛用于芯片内部各器件与器件之间、上下金属层之间的隔离。随着IC的集成度越来越高，器件与器件之间的间距越来也小，相邻器件之间的干扰和寄生效应就越来越明显，必须用SiO2介质材料将相邻的器件隔离起来，以消除寄生效应。同时，随着金属层越来越多，上下金属层之间也需用SiO2介质材料隔离起来，以防止上下层金属间的短路。 　　1.3 用于某些器件的重要