西昌大学模电复习资料.docxVIP

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  • 2018-08-22 发布于江苏
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西昌大学模电复习资料

本资料只作为参考,不承担任何责任 如有不同,请自行纠正。。。 一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 大的特点。( √ ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 大于零,则其输入电阻会明显变小。( × ) 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管,如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时,IC 从lmA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。 A.增大; B.不变; C.减小 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子,并说明它们是硅管还是锗管。 图P1.9 解:如解图1.9。 解图1.9 一.在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。 1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×) 2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√) 3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(×) 4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(×) 5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(√) 6.由于放大的对象是变化量,所以当输入直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。(×) 7.只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。(×) 五、现有直接耦合基本放大电路如下: A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 它们的电路分别如图2.2.1 、2.5.1(a)、2.5.4 (a)、2.6.2 和2.6. 9(a)所示;设图中 ,且 、 均相等。选择正确答案填入空内,只需填A 、B 、… … (l)输入电阻最小的电路是( C ),最大的是( D、E ); (2)输出电阻最小的电路是( B ); (3)有电压放大作用的电路是( A、C、D ); (4)有电流放大作用的电路是( A、B、D、E ); (5)高频特性最好的电路是( C ); (6)输入电压与输出电压同相的电路是( B、C、E );反相的电路是( A、D )。 2.4 电路如图P2.4 (a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时。利用图解法分别求出和时的静态工作点和最大不失真输出电压(有效值)。 (a) (b) 图P2.4 解:空载时:; 最大不失真输出电压峰值约为5.3V ,有效值约为3.75V 。 带载时:; 最大不失真输出电压峰值约为2.3V ,有效值约为1.63V 。如解图P2.4 所示。 解图P2.4 解图P2.5 2.5所示电路中,已知晶体管的β=80, =1kΩ,,静态时,,。判断下列结论是否正确,在括号内打“√”和“×”表示。 (1) (×) (

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