项目1-半导体器件地识别与检测.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * 场效晶体管则是一种电压控制型器件，是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、耗电省等优点，目前已广泛应用于各种电子电路中。 1.5.1 MOS场效晶体管的基本结构 绝缘栅场效晶体管（MOS管）分为增强型和耗尽型两类，各类又有P沟道和N沟道两种。 1.5 场效晶体管 N沟道增强型绝缘栅场效晶体管 结构示意图及电路符号 P沟道增强型绝缘栅场效晶体管 结构示意图及电路符号 N沟道增强型绝缘栅场效晶体管是用一块杂质浓度较低的P型硅片作衬底， B为衬底引线。在硅片上面扩散两个高浓度N型区(图中N+区)，各用金属线引出电极，分别称为源极s和漏极d，在硅片表面生成一层薄薄的二氧化硅绝缘层，绝缘层上再制作一层铝金属膜作为栅极g。 如果制作场效晶体管采用N型硅作衬底，漏极、源极为P+型区的引脚，则导电沟道为P型。 观察绝缘栅场效晶体管的电路符号时应注意：若d极与s极之间是三段断续线，表示为增强型；若是连续线表示为耗尽型。箭头向内表示为N沟道，反之为P沟道。 场效晶体管外形图 1.5.2 MOS场效晶体管的电压控制原理 在N沟道增强型场效晶体管的漏极d与源极s之间加上工作电压VDS后，管子的输出电流ID就受栅源电压VGS的控制。 ?当栅源之间的电压VGS=0时，由于漏极d与衬底B之间的PN结处于反向偏置，漏源极间无导电沟道，因此漏极电流ID=0，管子处于截止状态。 ?当VGS增加至某个临界电压时，感应电子层将两个分离的N+区接通，形成N型导电沟道，于是产生漏极电流ID，管子开始导通。 ?继续加大VGS，导电沟道就会愈宽，输出电流ID也就愈大。 增强型场效晶体管的工作电路 1．主要参数 （1）开启电压VGS(th) 指VDS为定值时，使增强型绝缘栅场效应管开始导通的栅源电压。 （2）夹断电压VGS(off) 指VDS为定值时，使耗尽型绝缘栅场效应管处于刚开始截止的栅源电压，N沟道管子的VGS(off)为负值，属耗尽型场效应管的参数。 （3）低频跨导gm 指VDS为定值时，栅源输入信号vgs与由它引起的漏极电流id之比，这是表征栅源电压vgs对漏极电流id控制作用大小的重要参数。 （4）最高工作频率fM 它是保证管子正常工作的频率最高限额。场效应管三个电极间存在极间电容，极间电容小的管子最高工作频率高，工作速度快。 （5）漏源击穿电压V(BR)DS 指漏源极之间允许加的最大电压，实际电压值超过该参数时，会使PN结反向击穿。 （6）最大耗散功率PDSM 指ID与VDD的乘积不应超过的极限值，是从发热角度对管子提出的限制条件。 ? 1.5.3 场效晶体管的主要参数及使用注意事项 应用提示  ●存放绝缘栅场效应管时要将三个电极短路，取用管子时应注意人体静电对栅极的感应，可在手腕上套一接地的金属箍。 ●焊接绝缘栅场效应管时，电烙铁必须要有外接地线，或切断电源利用电烙铁的余热焊接，以防烙铁漏电损坏管子。焊接时应先焊源极，其次焊漏极，最后焊栅极。 ●要拆焊电路板上的场效应管，应先将电路板的工作电源关闭，不允许电路通电时用烙铁进行焊接操作。  2.使用注意事项 项 目 小 结  1．半导体具有热敏性、光敏性和掺杂性，因而成为制造电子元器件的关键材料。 2．二极管是由一个PN结构成，其最主要的特性是具有单向导电性，二极管的特性可由伏安特性曲线准确描述。选用二极管必须考虑最大整流电流、最高反向工作电压两个主要参数，工作于高频电路时还应考虑最高工作频率。 3．特殊二极管主要有稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等。稳压管是利用它在反向击穿状态下的恒压特性来构成稳定工作电压的电路。发光二极管起着将电信号转换为光信号的作用，而光电二极管则是将光信号转换为电信号。 4．三极管是一种电流控制器件，有NPN型和PNP型两大类型。三极管内部有发射结、集电结两个PN结，外部有基极、集电极、发射极三个电极。在发射结正偏、集电结反偏的条件下，具有电流放大作用；在发射结和集电结均反偏时处于截止状态。在发射结和集电结均正偏时处于饱和状态。三极管的放大功能和开关功能得到广泛的应用。 5 ．三极管的特性曲线和参数是正确运用器件的依据，根据它们可以判断管子的质量以